申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-07-11

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117616891A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20210714 US 63/221,797","20220708 US 17/811,323"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本文提供了三维动态随机存取存储器3DDRAM结构及其形成方法。在一些实施方式中，3DDRAM堆叠可以包括交替的硅Si层及锗硅SiGe层。Si层的每一者可具有比SiGe层的每一者的高度更大的高度。进一步提供了用于形成此种结构的方法及系统。

主权项：1.一种三维动态随机存取存储器3DDRAM制造结构，包含：交替的硅Si层及锗硅SiGe层的堆叠，其中每个Si层的高度大于每个SiGe层的高度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 用于3D DRAM的减少应变的Si/SiGe异质外延堆叠

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