申请/专利权人：浙江巨磁智能技术有限公司

申请日：2024-01-24

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117879558A

主分类号：H03K17/08

分类号：H03K17/08;H03K17/06;H03K17/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明属于电子电路技术领域，尤其涉及一种应用于GaN级联Si‑MOS的驱动与快速保护电路，包括GaN器件、Si‑MOSFET、MOS管MNH1、MOS管MNH2、MOS管MNH3、MOS管MNH4、MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN4、MOS管MN5、MOS管MN6、MOS管MPH1、电容C1、电容C2、电容C3、二极管Z1、二极管Z2、二极管Z3、二极管Z4、二极管Z5、二极管Z6、二极管Z7、二极管D1、二极管D2、二极管3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R4、电阻R5、电阻R6；与现有技术相比，本发明可对Si‑MOS进行驱动，并在上电阶段保护GaN与Si‑MOS，迅速拉低可能出现的节点高压，不被瞬时高压击穿。

主权项：1.一种应用于GaN级联Si-MOS的驱动与快速保护电路，其特征在于，包括GaN器件、Si-MOSFET、MOS管MNH1、MOS管MNH2、MOS管MNH3、MOS管MNH4、MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN4、MOS管MN5、MOS管MN6、MOS管MPH1、电容C1、电容C2、电容C3、二极管Z1、二极管Z2、二极管Z3、二极管Z4、二极管Z5、二极管Z6、二极管Z7、二极管D1、二极管D2、二极管3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R4、电阻R5、电阻R6，所述MOS管MNH1的栅极和漏极相连且栅极接供电电源，MOS管MNH1的源极与MOS管MN2的漏极相连，MOS管MNH2的源极与MOS管MP1的漏极、MOS管MP2的漏极及电阻R2的一端、MOS管MN5的漏极、二极管Z7的输出端、MOS管MNH4的源极、Si-MOSFET的栅极相连，所述MOS管MP1的源极接供电电源，MOS管MP1的栅极和MOS管MP2的栅极相连，电阻R2的另一端与MOS管MP2的源极、MOS管MN4的源极、电阻R3的一端、二极管Z1的输入端、MOS管MN5的源极、MOS管MN6的源极、电阻R6的一端、电容C3的一端、二极管D8的输出端、Si-MOSFET的源极相连，二极管D8的输入端与二极管Z7的输入的输入端相连，所述GaN器件的漏极上电，GaN器件的源极与Si-MOSFET的漏极、MOS管MNH3的源极和漏极、二极管Z2的输出端、MOS管MPH1的源极、二极管Z4的输出端、电容C2的一端、电阻R4的一端相连，所述二极管Z5、二极管Z6、二极管D1、二极管D2、二极管3、二极管D4、二极管D5、二极管D6及二极管D7构成钳位电路，钳位电路的一端与GaN器件的栅极相连，所述钳位电路的另一端与电容C1、电阻R4的另一端、电容C2的另一端、二极管Z4的输入端、MOS管MPH1的栅极相连，所述MOS管MPH1的漏极与二极管D1的输入端、MOS管MNH4的栅极、电阻R5的一端相连，二极管D1的输出端与二极管Z3的输入端相连，二极管Z3的输出端与二极管Z2的输入端相连，MOS管MNH3的漏极与MOS管MNH4的漏极相连，所述电容C1的另一端与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与MOS管MN4的的漏极、MOS管MN5的漏极、电阻R3的另一端、二极管Z1的输出端相连，所述电阻R5的另一端与MOS管MN6的漏极、电容C3的另一端、电阻R6的另一端相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江巨磁智能技术有限公司 一种应用于GaN级联Si-MOS的驱动与快速保护电路

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