申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2022-01-13

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN114400220B

主分类号：H01L25/07

分类号：H01L25/07;H01L23/495

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.01#授权;2022.05.13#实质审查的生效;2022.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构，包括顶部陶瓷基板、底部陶瓷基板、第一SiCMOSFET器件、第二SiCMOSFET器件、第三SiCMOSFET器件、第四SiCMOSFET器件、第五SiCMOSFET器件、第六SiCMOSFET器件、第七SiCMOSFET器件、第八SiCMOSFET器件、第一钼柱、第二钼柱、第三钼柱、第四钼柱、第五钼柱、第六钼柱、第七钼柱、第八钼柱、第一金属引出端子、第二金属引出端子、第三金属引出端子、第四金属引出端子、第五金属引出端子、第六金属引出端子及第七金属引出端子，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度以及便于级联的特点。

主权项：1.一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构，其特征在于，包括顶部陶瓷基板100、底部陶瓷基板106、第一SiCMOSFET器件110、第二SiCMOSFET器件111、第三SiCMOSFET器件112、第四SiCMOSFET器件113、第五SiCMOSFET器件114、第六SiCMOSFET器件115、第七SiCMOSFET器件116、第八SiCMOSFET器件117、第一钼柱118、第二钼柱119、第三钼柱120、第四钼柱121、第五钼柱122、第六钼柱123、第七钼柱124、第八钼柱125、第一金属引出端子126、第二金属引出端子127、第三金属引出端子128、第四金属引出端子129、第五金属引出端子130、第六金属引出端子131及第七金属引出端子132；顶部陶瓷基板100的底部设置有DC+金属化区域101、DC-金属化区域102、下桥臂的开尔文源极金属化区域103及下桥臂的栅极金属化区域104；底部陶瓷基板106的上表面设置有上桥臂的栅极金属化区域107、上桥臂的开尔文源极金属化区域108及AC金属化区域109；第五SiCMOSFET器件114、第六SiCMOSFET器件115、第七SiCMOSFET器件116及第八SiCMOSFET器件117的栅极与上桥臂的栅极金属化区域107相连接，第五SiCMOSFET器件114、第六SiCMOSFET器件115、第七SiCMOSFET器件116及第八SiCMOSFET器件117的开尔文源极与上桥臂的开尔文源极金属化区域108相连接，第五SiCMOSFET器件114、第六SiCMOSFET器件115、第七SiCMOSFET器件116及第八SiCMOSFET器件117的源极与AC金属化区域109相连接，第五SiCMOSFET器件114、第六SiCMOSFET器件115、第七SiCMOSFET器件116及第八SiCMOSFET器件117的漏极分别通过第五钼柱122、第六钼柱123、第七钼柱124及第八钼柱125与DC+金属化区域101相连接；第一SiCMOSFET器件110、第二SiCMOSFET器件111、第三SiCMOSFET器件112及第四SiCMOSFET器件113的栅极与下桥臂的栅极金属化区域104相连接，第一SiCMOSFET器件110、第二SiCMOSFET器件111、第三SiCMOSFET器件112及第四SiCMOSFET器件113的开尔文源极与下桥臂的开尔文源极金属化区域103相连接，第一SiCMOSFET器件110、第二SiCMOSFET器件111、第三SiCMOSFET器件112及第四SiCMOSFET器件113的源极与DC-金属化区域102相连接，第一SiCMOSFET器件110、第二SiCMOSFET器件111、第三SiCMOSFET器件112及第四SiCMOSFET器件113的漏极分别通过第一钼柱118、第二钼柱119、第三钼柱120及第四钼柱121与AC金属化区域109相连接；DC+金属化区域101与第六金属引出端子131连接，DC-金属化区域102与第七金属引出端子132连接，AC金属化区域109与第五金属引出端子130连接，上桥臂的栅极金属化区域107与第三金属引出端子128连接，上桥臂的开尔文源极金属化区域108与第四金属引出端子129连接，下桥臂的栅极金属化区域104与第二金属引出端子127连接，下桥臂的开尔文源极金属化区域103与第一金属引出端子126连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构

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