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【发明公布】含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料、制备方法及应用_四川大学_202311667403.7 

申请/专利权人:四川大学

申请日:2023-12-06

公开(公告)日:2024-03-05

公开(公告)号:CN117649863A

主分类号:G11B7/241

分类号:G11B7/241;G11B7/2533;G11B7/257;G16C60/00;G16C20/30

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要:本发明公开了一种含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料、制备方法及应用,按照质量份数计包括以下组分:25~50份的成膜剂,5~25份的单体丙烯酰胺,1~10份的亚甲基双丙烯酰胺,0.1~1份的多面体齐聚倍半硅氧烷POSS,0.01~0.1份的光敏剂,1~10份的单体丙烯酸,0.1~2份的三乙醇胺。通过在聚乙烯醇丙烯酰胺体系中掺杂POSS纳米材料并进行配比,显著改善了材料的体积收缩率,同时保持了原材料体系的高衍射效率、高感光灵敏度、高空间分辨率等性能指标,在全息显示、全息存储、干涉计量等领域有良好的应用价值。

主权项:1.一种含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料,其特征在于,按照质量份数计包括以下组分:25~50份的成膜剂,5~25份的单体丙烯酰胺,1~10份的亚甲基双丙烯酰胺,0.1~1份的多面体齐聚倍半硅氧烷POSS,0.01~0.1份的光敏剂,1~10份的单体丙烯酸,0.1~2份的三乙醇胺。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 四川大学 含POSS纳米材料的光致聚合物全息存储材料、制备方法及应用

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