申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-05

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117677200A

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27;H10B43/35;H10B43/50

优先权：["20220908 KR 10-2022-0114413"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：一种竖直存储器件，包括：下焊盘图案，设置在衬底上；单元堆叠结构，设置在下焊盘图案上并包括第一绝缘层和栅极图案，其中，单元堆叠结构具有阶梯形状；贯通单元接触部，包括第一贯通部分和第一突起，其中，第一贯通部分穿过单元堆叠结构的一部分，并且其中，第一突起从第一贯通部分突出并接触栅极图案中的最上面栅极图案；以及第一绝缘图案，至少部分地围绕第一贯通部分的在第一突起下方的侧壁，其中，从第一贯通部分起，在水平方向上第一绝缘图案比第一突起长，并且其中，第一突起的竖直厚度大于最上面栅极图案的竖直厚度。

主权项：1.一种竖直存储器件，包括：下焊盘图案，设置在衬底上；单元堆叠结构，设置在所述下焊盘图案上，其中，所述单元堆叠结构包括交替且重复堆叠的第一绝缘层和栅极图案，其中，所述单元堆叠结构在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并且具有阶梯形状；贯通单元接触部，包括第一贯通部分和第一突起，其中，所述第一贯通部分在竖直方向上延伸并穿过所述单元堆叠结构的具有所述阶梯形状的部分，并且其中，所述第一突起从所述第一贯通部分突出并接触所述栅极图案中的与所述第一贯通部分相邻的最上面栅极图案的侧壁；以及第一绝缘图案，至少部分地围绕所述第一贯通部分的位于所述第一突起下方的侧壁，其中，从所述第一贯通部分起，在水平方向上所述第一绝缘图案比所述第一突起长，并且其中，所述贯通单元接触部的所述第一突起的竖直厚度大于接触所述第一突起的最上面栅极图案的竖直厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 竖直存储器件

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