申请/专利权人：原子能和替代能源委员会

申请日：2022-06-13

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117678074A

主分类号：H01L27/15

分类号：H01L27/15;H01L33/16

优先权：["20210616 FR FR2106386"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：用于制造原生发射矩阵的方法，该方法包括以下步骤：a提供基部结构10，基部结构依次包括：衬底11；GaN层12；掺杂InxGaN层13，其中，x介于0％至8％之间；以及非有意掺杂InxGaN外延再生长层14，b在基部结构中对台部进行图案化，台部包括非有意掺杂InxGaN外延再生长层14和掺杂InxGaN层13的一部分，由此台部彼此电连接，c对掺杂InxGaN层13进行电化学多孔化，d在台部上形成第一LED结构100和第二LED结构200，由此分别获得具有第一发射波长的第一LED和具有第二发射波长的第二LED，并形成原生发射矩阵。

主权项：1.用于制造原生发射矩阵的方法，所述方法包括以下步骤：a提供基部结构10，所述基部结构依次包括：衬底11；优选地非有意掺杂GaN层12；掺杂InxGaN层13，其中，x介于0％至8％之间；以及非有意掺杂InxGaN外延再生长层14，b在所述基部结构中对台部进行图案化，所述台部包括所述非有意掺杂InxGaN外延再生长层14和所述掺杂InxGaN层13的一部分，由此所述台部彼此电连接，c对所述掺杂InxGaN层13进行电化学多孔化，d实施至少两次连续的外延生长，以分别在第一台部上外延生长出第一LED结构100以及在第二台部上外延生长出第二LED结构200，由此分别获得具有第一发射波长的第一LED和具有第二发射波长的第二LED，所述第一LED例如为蓝色，所述第二LED例如为红色，并且形成原生发射矩阵，所述第一LED结构100包括与所述第一台部的外延再生长层14接触的第一Inx1GaN层111，其中，x1是被选择成使得所述第一Inx1GaN层111的应变状态适应于所述第一LED结构的值，所述第二LED结构200包括与所述第二台部的外延再生长层14接触的第一Inx2GaN层201，其中，x2是被选择成使得所述第一Inx2GaN层201的应变状态适应于所述第二LED结构的值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 原子能和替代能源委员会 用于制造原生发射矩阵的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD