申请/专利权人：乌海市京运通新材料科技有限公司

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117661101A

主分类号：C30B15/20

分类号：C30B15/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种基于数字模拟的单晶炉液口用法，具体涉及单晶生长技术领域，包括步骤一、获取定液口距SP值和CCD液口距，步骤二、计算液口距偏差，步骤三、增设液口距计算值，步骤四、液口距计算值与液口距SP进行偏差比较，步骤五、恢复图形捕捉。本发明通过增加液口距计算值算法，解决了头部液口距无法捕捉的异常，降低了生产切换不同尺寸单晶时频繁更换备件的问题无新增硬件，费用低，通过偏差调节液口距PID，算法简单、使用方便，安全系数高，有效降低了事故率。

主权项：1.一种基于数字模拟的单晶炉液口用法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤一、分析单晶在结晶后不同长度随温度梯度的变化，工艺给定液口距SP值，采用CCD相机对导流筒下沿口进行拍摄并获取导流筒在单晶液面的CCD液口距捕捉值，定义为CCD液口距；步骤二、根据液口距SP值与CCD液口距的偏差进行下轴埚位的微调整，液口距偏差=液口距SP-CCD液口距的数值；步骤三、在步骤一和步骤二的现有基础上，增设液口距计算值，具体步骤为：根据石英坩埚中已知数据，计算出单公斤硅溶液高度，将单晶的引肩、放肩和转肩阶段下轴坩埚内硅熔液的重量变化转换为高度，标定并定义熔接状态下实际液口距值为输入值，计算出当前熔硅液面到导流筒下沿的距离，标记为液口距计算值；步骤四、将液口距计算值与液口距SP进行偏差比较，通过液口距PID调节下轴埚位上升速度，保证导流筒下沿到单晶炉石英坩埚熔硅液面距离符合工艺要求。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 乌海市京运通新材料科技有限公司 一种基于数字模拟的单晶炉液口用法

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