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【发明公布】sp3型杂化阴离子掺杂层状氧化物及其制备方法_南京理工大学_202211027202.6 

申请/专利权人:南京理工大学

申请日:2022-08-25

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:CN117673283A

主分类号:H01M4/36

分类号:H01M4/36;H01M4/505;H01M4/58;H01M10/054;H01M4/485;C01G49/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要:本发明公开了一种sp3型杂化阴离子掺杂层状氧化物及其制备方法。所述的sp3型杂化阴离子掺杂层状氧化物,其sp3型杂化阴离子的中心离子元素与氧元素构成四面体结构单元;材料晶体结构表面和体相的sp3型阴离子占据位置不同,其中,表面的sp3型杂化阴离子的中心离子位于层状氧化物的层间,体相的sp3型杂化阴离子的中心离子位于层状氧化物层板中且呈现长程无序。本发明采用固相烧结法,制备工艺简单,制备的钠离子正极材料用sp3型杂化阴离子掺杂层状氧化物呈现出优良的倍率性能和循环稳定性。

主权项:1.一种钠离子电池用sp3型杂化阴离子掺杂层状氧化物正极材料,其特征在于,其分子式为NaβMnxM1-x-yAyO2-zAO4z,所述的β、x、y、z为对应元素的摩尔比,M为过渡金属元素,A为sp3型杂化阴离子的中心离子元素;其中y和z之间的关系满足0.005≤y+z≤0.08且z≥0.005;其中0.55≤β≤0.95,0.4≤x1。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京理工大学 sp3型杂化阴离子掺杂层状氧化物及其制备方法

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