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【发明授权】一种冷烫印箔的制备方法_佛山市龙源镭射科技有限公司_202310559918.9 

申请/专利权人:佛山市龙源镭射科技有限公司

申请日:2023-05-17

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:CN116691204B

主分类号:B41M5/41

分类号:B41M5/41;B05D7/04;B05D7/00;B05D7/24;B05D5/00;C09D133/00;C23C14/24;C23C14/20;C23C14/56;B41M5/44

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.08#授权;2023.09.22#实质审查的生效;2023.09.05#公开

摘要:本发明属于智能制造技术领域,提出了一种冷烫印箔的制备方法及系统,具体为:并在基材载体上依次均匀地覆盖离型层、着色层、镀铝基层以及粘结层,其中多功能涂布机在对薄膜的收卷过程进行了自适应动态调节,对收卷张力进行控制。一方面通过降低基材厚度节省生产成本,迎合环保制造的时代需要,减少工业废弃物的排放和堆积,另一方面通过针对加工过程出现的裂纹或者褶皱现象,大大提高冷烫印箔生产工艺的良品率,有效地降低良品率不足带来的经营风险。

主权项:1.一种冷烫印箔的制备方法,其特征在于,所述冷烫印箔包括基材载体、离型层、着色层、镀铝基层以及粘结层;并在基材载体上依次均匀地覆盖离型层、着色层、镀铝基层以及粘结层;其中,通过多功能涂布机将粘结层涂布于镀铝基层上,涂布粘结层时采用200-300目版辊印刷,干涂量0.6±0.1g㎡;所述粘结层按重量百分比组成如下:11%-15%的苯乙烯丙烯酸酯聚合物,8%-10%的水性丙烯酸乳液A,6%-9%的水性丙烯酸乳液B,4%-8%的水性丙烯酸乳液C,5%-9%的水性丙烯酸乳液D,2%-6%的水性消光剂,0.5%-2%的硅粉,0.5%-2%的消泡剂,18%-25%的酒精,30%-35%的水;其中多功能涂布机中有收卷装置,收卷装置将涂布结束的薄膜进行收卷,其中收卷装置对收卷张力进行自适应调节,具体方法如下:S1,利用CCD相机获取薄膜的表面图像,预处理后形成处理图;S2,通过获得的处理图计算单体偏离值;S3,各个工位均计算获得单体偏离值后,结合各个单体偏离值获得控缺增补系数;S4,结合历史上的各个控缺增补系数对收卷装置进行自适应控制;在步骤S2中计算单体偏离值的方法是:对处理图进行角点检测获得角点,以各个角点作为一类特征点FTSP;获得处理图对应的图像矩阵作为处理图矩阵,对处理图矩阵进行二值化运算,然后进行腐蚀运算,定位处理图矩阵中数值被更改为0的元素,将所述元素在处理图中对应的像素记作二类特征点STSP;将各个FTSP之间两两相连获得的线记作一类辅线FTPL,以FTPL上各个像素中STSP的数量与FTPL上像素的数量的比值记作rtssp,将各个FTPL的rtssp的平均值记作Ertssp;将满足rtssp>Ertssp的FTPL记作二类辅线STPL;将STPL对应的两个FTSP以及STPL的中点均记作一类辅点FTPP,分别获取与各个FTPP距离最近的STSP的距离r2,以各个r2中的最大值为r3;作平行于FTPL且与FTPL的距离为r3的两条直线并记作辅界一PZL1,在两个FTSP分别作垂直于FTPL的直线并记作辅界二PZL2;以PZL1与PZL2围成的区域记作异样辅域bipz;将FTPL上的两个FTSP的灰度值分别记作gry1和gry2,将bipz内各个STSP的灰度值中的最大值和最小值分别记作gry3和gry4;计算各个bipz的异样水平bialv: ;其中exp为自然常数e为底数的指数函数,Ngry代表bipz内灰度值在gry1到gry2之间的像素的数量,NSTSP代表灰度值在gry3到gry4之间的像素的数量,len_FTPL代表FTPL上的两个FTSP的距离;以各个bialv中的下四分位数和中位数分别记作fqlv和midlv,将各个大于fqlv的bialv的平均值记作efqlv;计算单体偏离值为biaDg=efqlvmidlv;在步骤S3中获得控缺增补系数的方法是:各个工位同步地获得单体偏离值,将工位的数量记作nwd;以同一个工位前nwd个时刻获得的单体偏离值为一行,以同一个时刻下各个工位的单体偏离值为一列构建一个矩阵记作mx,以j1作为mx中的行号;将第j1行元素中的最大值记作tp.mxj1,,将第1列元素中的平均值记作e.mx,1,将第j1行元素的第j1个元素记作mxj1,1,计算控缺增补系数ctrl_X: ;其中fprtj1为mx中第j1行的第一偏估分量,其计算方法为: ;其中rplvj1代表覆盖水平函数,具体计算为:获取mx中第j1行元素,将第j1行的各个元素分别与其同一行前一列的元素相减所得的值记作di,所得各个di中的最大值与最小值之比的绝对值即为覆盖水平函数的结果;在步骤S4中自适应控制的方法是:获取时序上连续的各个控缺增补系数,设定一个时间段作为参考时长RefT,RefT∈[5,20],获取最近RefT时段内的各个控缺增补系数并构成序列ls_c,将ls_c的上四分位数和下四分位数分别记作ls_c.q3和ls_c.q1,将ls_c.q3与ls_c.q1之差记作q0,以当前所得的控缺增补系数记作cr.ctrl_X,自适应控制的方法如下:如果cr.ctrl_X≥ls_c.q3+1.5q0,则将张力减小2%;如果ls_c.q3+1.5q0>cr.ctrl_X≥ls_c.q3,则将张力减小1%;如果ls_c.q1≥cr.ctrl_X>ls_c.q1-1.5q0,则将张力增加1%;如果ls_c.q1-1.5q0≥cr.ctrl_X,则将张力增加2%。

全文数据:

权利要求:

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