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【发明授权】灵敏放大模块、读出电路及存储器_合芯科技(苏州)有限公司;合芯科技有限公司_202310728383.3 

申请/专利权人:合芯科技(苏州)有限公司;合芯科技有限公司

申请日:2023-06-19

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:CN116682468B

主分类号:G11C11/4091

分类号:G11C11/4091

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.08#授权;2023.09.19#实质审查的生效;2023.09.01#公开

摘要:本发明提供一种灵敏放大模块、读出电路及存储器,包括:锁存单元、传输门、第一传输单元及第二传输单元;锁存单元的第一存锁存节点通过第一传输单元连接第一位线,第二锁存节点通过第二传输单元连接第二位线;传输门的一端连接锁存结构的零电位参考点,另一端接地,用于拉低零电位参考点,放大输入的信号;第一传输单元、第二传输单元及传输门受控于灵敏放大模块的使能信号。本发明采用传输门作为下拉开关,导通电阻小,在增加导通能力的同时也能减小导通功耗,提供高效的输出驱动能力;可采用单端读出的方式,减小反相器数量,进而减小面积;同时还可从反相器级数较少的一端读出数据,进一步提高速度、减小面积。

主权项:1.一种读出电路,其特征在于,所述读出电路至少包括:读出模块及灵敏放大模块;所述读出模块连接于所述灵敏放大模块的输出端,用于将所述灵敏放大模块中的信号转换为数字信号并读出;其中,所述读出模块的输入端连接第一锁存节点及第二锁存节点,输出端输出读取的数据;所述读出模块包括第一缓冲器、第二缓冲器、第四NMOS管、第六PMOS管、第一锁存器及第三缓冲器;所述第一缓冲器的输入端连接所述第一锁存节点,输出端连接所述第四NMOS管的栅极;所述第二缓冲器的输入端连接所述第二锁存节点,输出端连接所述第六PMOS管的栅极;所述第六PMOS管的源极连接电源电压,漏极连接所述第四NMOS管的漏极,所述第四NMOS管的源极接地;所述第一锁存器的输入端连接所述第六PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的源极,输出端连接所述第三缓冲器的输入端;所述第三缓冲器的输出端输出读取的数据;所述第一缓冲器与所述第二缓冲器的输出信号反相;或者,所述读出模块的输入端连接所述第一锁存节点或所述第二锁存节点,输出端输出读取的数据;所述读出模块包括第四缓冲器、第二锁存器及第五缓冲器;所述第四缓冲器的输入端连接所述第一锁存节点或所述第二锁存节点,输出端连接所述第二锁存器的输入端;所述第五缓冲器的输入端连接所述第二锁存器的输出端,输出读取的数据。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合芯科技(苏州)有限公司;合芯科技有限公司 灵敏放大模块、读出电路及存储器

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