申请/专利权人：恒烁半导体(合肥)股份有限公司

申请日：2021-06-30

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN113470730B

主分类号：G11C29/44

分类号：G11C29/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.01#公开

摘要：本发明涉及存储器技术领域，公开了一种提升NorFlash存储器存储性能的方法及装置，其中方法包括在接收上电操作命令后即对存储阵列分区域检测读取位线上的电流并转换为电压△Vt，对最高修复等级的区域交替进行阈值电压修复操作和修复验证操作，等待下一次上电操作命令送达并重复执行直至完成所有区域修复操作，同时直接认定出现断电或违规复位操作时执行擦除操作的区域为最高修复等级区域；本发明结合上电操作匹配执行修复动作，不会在上电过程增加过多无用时间，平衡了修复时间与上电总时长的关系，有效达到提高问题单元阈值电压的目的，有力防止存储单元出现漏电的问题，保证了存储的稳定性和可靠性，节省了大量时间和功耗，有着切实意义上的实用价值。

主权项：1.一种提升NorFlash存储器存储性能的方法，其特征在于，所述方法包括一下步骤：在NorFlash存储器接收上电操作命令后，即对存储阵列分区域检测读取位线上的电流并转换为电压△Vt；记录存储阵列中电压△Vt低于验证电压的区域地址，并对其按照电压△Vt大小反序进行修复等级认定；执行NorFlash存储器上电操作并同步对最高修复等级的区域交替进行阈值电压修复操作和修复验证操作，其中按照交替次数每重复预设次、字线加压值递增△V，顺次执行阈值电压修复操作直至修复验证通过；待下一次上电操作命令送达时，重复执行上述步骤；若NorFlash存储器执行擦除操作时出现断电或违规复位操作，则记录此时擦除操作目标区域地址，待下一次上电操作命令送达时，直接认定该区域为最高修复等级并执行后续修复步骤；所述阈值电压修复操作包括根据阈值电压异常过低的存储单元数量及分布情况选择执行顺次修复、局部修复或精确修复中的一种，具体包括：若待修复区域内每根位线上都存在需要修复的存储单元，则先将待修复区域所有字线加压至预设修复电压，基于地址自增，顺次对所有页完成以字节为单位进行位线选通的修复操作；若待修复区域内阈值电压异常过低的存储单元数量超过预设值，则将异常存储单元所在页的字线加压至预设修复电压，并按页执行局部修复，包括对页内部以字节为单位进行位线选通；否则将待修复区域单根字线加压至预设修复电压，并根据定位得到阈值电压异常过低的存储单元所对应的具体的地址选通对应位线进行精确修复。

全文数据：

权利要求：

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