申请/专利权人：合肥集芯光电有限公司

申请日：2022-09-05

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117691458A

主分类号：H01S5/028

分类号：H01S5/028;H01S5/183

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种入射式多节激发介质膜辅助垂直面发射激光器，包括：衬底，为半导体材质；光增益单元和滤光单元，并且交错堆叠形成多节结构，堆叠布设的方向与衬底垂直；正极导电层；介质HR高反射膜单元；负极导电层；介质AR低反射增透膜。本发明采用介质HR膜取代半导体DBR反射滤光，规避了因InP器件材料低折射率差所造成的DBR厚度过大成本过高等问题，光学上采用入射型激光结构，用单DBR、长腔、多节、谱线窄、光出口处透射、高功率方案，解决了传统VCSELF‑P型激光结构的双DBR、短腔、单节、谱线宽、光出口处反射、低功率等问题。

主权项：1.一种入射式多节激发介质膜辅助垂直面发射激光器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为半导体材质，所述衬底设有光输出端口和镀于所述光输出端口的介质AR低反射增透膜；介质HR高反射膜单元，所述介质HR高反射膜单元位于所述衬底背面一侧，并与所述衬底相对设置；多个半导体激光增益单元和多个透射半导体滤光单元，生长设置在所述衬底之上，设于所述介质HR高反射膜单元和所述衬底的之间，并且所述半导体激光增益单元和所述透射半导体滤光单元交错堆叠形成多节结构，堆叠布设的方向与所述衬底垂直；其中，各个所述半导体激光增益单元通电后分别放出激光，其中一光路传播方向沿远离所述介质HR高反射膜单元的方向传播的激光经过多个所述透射半导体滤光单元和介质AR透射滤光后在所述光输出端口输出，其中另一光路传播方向朝向所述介质HR高反射膜单元传播的激光通过所述介质HR高反射膜单元反射，再经过多个所述透射半导体滤光单元后也在同一个所述光输出端口输出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥集芯光电有限公司 一种入射式多节激发介质膜辅助垂直面发射激光器

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