申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2021-08-10

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN114078709B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H10B12/00

优先权：["20200813 US 16/993,250"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2022.03.11#实质审查的生效;2022.02.22#公开

摘要：一种凹陷存取装置的制造方法包含以下操作。形成沟槽于基板中。通过氧化沟槽的内表面以在基板内形成栅极氧化层。形成第一栅极层于沟槽的底部中，其中在第一栅极层之上的栅极氧化层的一部分从沟槽中暴露。形成第二栅极层于沟槽中以覆盖第一栅极层和栅极氧化层的此部分，并于第一栅极层之上形成凹槽，其中第二栅极层具有覆盖栅极氧化层的此部分的垂直部分以及具有从凹槽中暴露的上表面的水平部分。本揭示内容改善了凹陷存取装置中的栅极宽度不同所造成的问题以及避免半导体装置中的栅极诱发的漏极泄漏，从而改善存储器的性能。

主权项：1.一种凹陷存取装置的制造方法，其特征在于，包含：形成沟槽于基板中；氧化该沟槽的内表面以在该基板内形成栅极氧化层；形成第一栅极层于该沟槽的底部中，其中在该第一栅极层之上的该栅极氧化层的一部分从该沟槽中暴露；形成第二栅极层于该沟槽中以覆盖该第一栅极层以及该栅极氧化层的该部分，并于该第一栅极层之上形成凹槽，其中该第二栅极层具有覆盖该栅极氧化层的该部分的垂直部分以及具有从该凹槽中暴露的上表面的水平部分；对该水平部分执行离子布植以形成掺杂的水平部分；移除该掺杂的水平部分以暴露该第一栅极层；以及形成第三栅极层以填充该凹槽，其中该第三栅极层的材料相同于该第一栅极层的材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 凹陷存取装置及其制造方法

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