申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117420724B

主分类号：G03F1/38

分类号：G03F1/38;G03F1/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开

摘要：本发明提供一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法，掩膜版结构包括：掩膜版主体；多个主图形，设置于所述掩膜版主体上，在一组主图形中，多个主图形沿所述掩膜版主体的横向方向上布置，相邻两个主图形在所述掩膜版主体的纵向方向上存在间距；以及多个辅助图形，设置于每个所述主图形的周围，每个所述辅助图形设有孔洞；其中，在一组主图形中，每个主图形与两个辅助图形对应，两个所述辅助图形关于其对应的所述主图形对称设置。本发明可提高掩膜版结构在曝光处理后通孔的真圆度，提高通孔和金属层的接触面积，并提高半导体产品的良率。

主权项：1.一种半导体制程的掩膜版结构，其特征在于，包括：掩膜版主体；多个主图形，设置于所述掩膜版主体上，在一组主图形中，多个主图形沿所述掩膜版主体的横向方向上布置，相邻两个主图形在所述掩膜版主体的纵向方向上存在间距；以及多个辅助图形，设置于每个所述主图形的周围，每个所述辅助图形设有孔洞，所述孔洞的尺寸和所述辅助图形的尺寸的比值范围为14～34；其中，在一组主图形中，每个主图形与两个辅助图形对应，两个所述辅助图形关于其对应的所述主图形对称设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法

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