申请/专利权人：国际商业机器公司

申请日：2018-12-04

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN111512417B

主分类号：H01L21/302

分类号：H01L21/302

优先权：["20171219 US 15/846,942"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2020.09.01#实质审查的生效;2020.08.07#公开

摘要：光刻构图方法包括：在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，该构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层。该方法进一步包括使多层构图材料膜叠层暴露于通过含金属的顶涂层的构图辐射以在抗蚀剂层中形成期望的图案，去除含金属的顶涂层，对在抗蚀剂层中形成的图案显影，根据显影的图案蚀刻至少一层底层，并去除抗蚀剂层的剩余部分。可以例如通过在抗蚀剂层上的原子层沉积或旋涂沉积，或通过从抗蚀剂层的自分离来形成含金属的顶涂层。

主权项：1.一种光刻构图方法，包括：在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，所述构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；在所述抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层；使所述多层构图材料膜叠层暴露于通过所述含金属的顶涂层的构图辐射，以在所述抗蚀剂层中形成期望的图案；去除所述含金属的顶涂层；对形成在所述抗蚀剂层中的所述图案显影；根据所述显影的图案蚀刻至少一层底层；以及去除所述抗蚀剂层的剩余部分；其中在所述抗蚀剂层上形成所述含金属的顶涂层包括利用从所述抗蚀剂层的自分离工艺形成所述含金属的顶涂层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国际商业机器公司 用含金属的顶涂层对材料膜层进行构图以增强极紫外光刻(EUV)的感光度

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