申请/专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司

申请日：2022-09-06

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117711896A

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本申请涉及一种二氧化硅抗离子轰击处理方法、导向环以及干刻设备。二氧化硅抗离子轰击处理方法包括提供二氧化硅基层；向所述二氧化硅基层注入第一离子以形成一次损伤层，所述一次损伤层的强度高于所述二氧化硅基层；向所述一次损伤层注入第二离子以形成二次损伤层，所述二次损伤层的强度高于所述一次损伤层；其中，所述第一离子和所述第二离子在所述二氧化硅基层中能够形成化学键。能够有效减少二氧化硅材料在离子轰击下的损耗，使得经此处理的二氧化硅材料的导向环的使用寿命增加。

主权项：1.一种二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，包括：提供二氧化硅基层；向所述二氧化硅基层注入第一离子以形成一次损伤层，所述一次损伤层的强度高于所述二氧化硅基层；向所述一次损伤层注入第二离子以形成二次损伤层，所述二次损伤层的强度高于所述一次损伤层；其中，所述第一离子和所述第二离子在所述二氧化硅基层中能够形成化学键。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆康佳光电技术研究院有限公司 二氧化硅抗离子轰击处理方法、导向环和干刻设备

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