申请/专利权人：银川隆基硅材料有限公司

申请日：2023-04-23

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117702248A

主分类号：C30B15/20

分类号：C30B15/20;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明实施例提供了一种单晶拉制方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括：根据引晶阶段平均拉速从预设多组放肩降温功率参数集中选择一组与平均拉速相匹配的放肩降温功率参数子集；在放肩直径未达到目标放肩直径前，根据放肩降温功率参数子集合实际放肩长度，对实际晶升速度、实际埚升速度和实际降温功率进行调整；在放肩直径达到目标放肩直径后，根据当前时刻的等径长度、预设晶升速度以及预设的等径阶段埚升速度变化曲线，对实际晶升速度和实际埚升速度进行调整，直至等径长度达到等径长度阈值，得到拉制完成的单晶。从而根据晶体不同的状态调整埚升速度和晶升速速度，使单晶拉制工艺的工步时长减少，同时降低了断棱现象。

主权项：1.一种单晶拉制方法，其特征在于，所述方法包括：根据引晶阶段平均拉速从预设多组放肩降温功率参数集中选择一组与所述平均拉速相匹配的放肩降温功率参数子集；获取当前时刻的实际放肩长度、实际晶升速度、实际埚升速度和实际降温功率；在所述放肩直径未达到目标放肩直径前，根据所述放肩降温功率参数子集和所述实际放肩长度，对当前时刻的所述实际晶升速度、所述实际埚升速度和所述实际降温功率进行调整；在所述放肩直径达到所述目标放肩直径后，根据当前时刻的等径长度、预设晶升速度以及预设的等径阶段埚升速度变化曲线，对当前时刻的所述实际晶升速度和所述实际埚升速度进行调整，直至所述等径长度达到等径长度阈值，得到拉制完成的单晶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 银川隆基硅材料有限公司 一种单晶拉制方法、装置、电子设备和存储介质

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