申请/专利权人：安世有限公司

申请日：2023-09-13

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712140A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329

优先权：["20220915 EP 22195961.2"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.15#公开

摘要：本公开的各方面一般涉及MPS二极管及其制造方法。MPS二极管包括半导体主体，其包括有源区，其中有源区包括：第一导电类型的漂移区；以及不同于第一导电类型的第二导电类型的多个阱，多个阱相互间隔开，每个阱与漂移区形成相应PN结。MPS二极管还包括金属层组件，其布置在半导体主体的表面上并且包括至少一个金属层，金属层组件与漂移区一起形成多个肖特基接触并且与多个阱形成多个相应欧姆接触。在从有源区的中心向外的方向上，相邻布置的阱之间的间距增大。

主权项：1.一种混合式PIN肖特基二极管1，包括：半导体主体，其包括有源区，其中所述有源区包括：第一导电类型的漂移区4；以及不同于所述第一导电类型的第二导电类型的多个阱5，所述多个阱5相互间隔开，每个阱5与所述漂移区4形成相应PN结；以及金属层组件6a，6b，其布置在所述半导体主体的表面上并且包括至少一个金属层，所述金属层组件6a，6b与所述漂移区4一起形成多个肖特基接触并且与所述多个阱5形成多个相应欧姆接触，其中，在从所述有源区的中心向外的方向上，相邻布置的阱5之间的间距增大，其特征在于，所述多个阱5被形成为平行于所述半导体主体的所述表面延伸的条带，并且所述条带在所述有源区的至少一部分中扇出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安世有限公司 具有非均匀间隔的阱的MPS二极管及其制造方法

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