申请/专利权人：安世有限公司

申请日：2023-09-14

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712186A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/868;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329

优先权：["20220915 EP 22195896.0"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.15#公开

摘要：本公开的各方面通常涉及一种MPS二极管及其制造方法。MPS二极管包括：半导体主体，其包括有源区域，其中有源区域包括：第一导电类型的漂移区域；以及第二导电类型的多个阱，第二导电类型不同于第一导电类型，多个阱相互间隔开，每个阱与漂移区域形成相应的PN结。MPS二极管还包括金属层组件，其布置在半导体主体的表面上并且包括至少一个金属层，金属层组件与所述漂移区域一起形成多个肖特基接触，并且与多个阱形成多个相应的欧姆接触。漂移区域包括围绕多个阱中的每个阱的掺杂区域，掺杂区域具有比漂移区域的其余部分更高的掺杂剂浓度。在从掺杂区域的中心到掺杂区域的边缘的第一方向上，掺杂区域中的掺杂剂浓度减小。

主权项：1.一种混合式PiN肖特基二极管，包括：半导体主体，其包括有源区域，其中所述有源区域包括：第一导电类型的漂移区域；以及第二导电类型的多个阱，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，所述多个阱相互间隔开，每个阱与所述漂移区域形成相应的PN结；以及金属层组件，其布置在所述半导体主体的表面上并且包括至少一个金属层，所述金属层组件与所述漂移区域一起形成多个肖特基接触，并且与所述多个阱形成多个相应的欧姆接触，其中，所述漂移区域包括布置在所述有源区域中的围绕所述多个阱中的每一个的掺杂区域，所述掺杂区域具有比所述漂移区域的其余部分更高的掺杂剂浓度，其中，在从所述掺杂区域的中心到所述掺杂区域的边缘的第一方向上，所述掺杂区域中的掺杂剂浓度减小，其特征在于，所述掺杂区域包括实质上均匀掺杂的中心区域和布置在所述中心区域与所述掺杂区域的边缘之间的实质上均匀掺杂的外部区域，所述中心区域具有比所述外部区域更高的掺杂剂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安世有限公司 具有非均匀掺杂区域的MPS二极管及其制造方法

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