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【发明公布】一种用于晶圆裂片后划裂缺陷的检测方法及系统_厦门福信光电集成有限公司_202311586028.3 

申请/专利权人:厦门福信光电集成有限公司

申请日:2023-11-24

公开(公告)日:2024-03-15

公开(公告)号:CN117710289A

主分类号:G06T7/00

分类号:G06T7/00;H01L21/66;G01N21/95;G01N21/88;G01N21/01;G06T7/13;G06T7/73;G06V10/44;G06V10/764;G06V10/82;G06F9/50

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要:本发明公开了一种用于晶圆裂片后划裂缺陷的检测方法及系统,包括以下步骤:在检测机台上对待检晶圆进行成像,获取晶圆图像;将所述晶圆图像进行矫正处理,生成矫正图像;将所述矫正图像按设定的大小进行切块,生成切块图像;将所述切块图像进行缺陷提取及判定,包括:使用Blob分析方法进行晶粒定位、崩边崩角缺陷检测、双晶错划缺陷检测;输出判定的各类缺陷结果至报警系统,所述缺陷结果包括缺陷类型、缺陷位置及各类型缺陷的数量。本发明提出的缺陷检测方法不局限于蓝宝石衬底的晶圆外观缺陷检测,且可检测包括崩边崩角缺陷及双晶、错划缺陷,在保证检测效率及准确度的前提下提供更强的适应性及更全面的缺陷种类检测。

主权项:1.一种用于晶圆裂片后划裂缺陷的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:在检测机台上对待检晶圆进行成像,获取晶圆图像;S2:将所述晶圆图像进行矫正处理,生成矫正图像;S3:将所述矫正图像按设定的大小进行切块,生成切块图像;S4:将所述切块图像进行缺陷提取及判定,包括:使用Blob分析方法进行晶粒定位,用于输出各个晶粒的位置集合;崩边崩角缺陷检测;双晶错划缺陷检测;S5:输出判定的各类缺陷结果至报警系统,所述缺陷结果包括缺陷类型、缺陷位置及各类型缺陷的数量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 厦门福信光电集成有限公司 一种用于晶圆裂片后划裂缺陷的检测方法及系统

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