申请/专利权人：上海申矽凌微电子科技股份有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117708022A

主分类号：G06F13/40

分类号：G06F13/40;H03K17/687

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明提供一种TX电路，包括：运算放大器U，运算放大器U的正相输入端与外接电压VREF连接，运算放大器U的反相输入端连接有第二开关K2和第三开关K3，运算放大器U的输出端连接有第一开关K1、第四开关K4及第五开关K5；第二开关K2的另一端连接有电阻R1及第一MOS管M1的源极；第三开关K3的另一端连接有第二电阻R2、第三MOS管M3和第二MOS管M2的源极；第一开关K1的另一端与第一MOS管M1的栅极连接；第四开关K4的另一端与第二MOS管M2的栅极相连接；第五开关K5的另一端与第三MOS管M3的栅极相连接。本发明通过一定比例复制TX电路，给驱动电路提供环路，使其在TX关闭时正常工作，极大的降低了驱动电路再次启动时需要等待的时间，并且在面积功耗上并没有明显的增加。

主权项：1.一种TX电路，其特征在于，包括：运算放大器U，所述运算放大器U的正相输入端与外接电压VREF连接，所述运算放大器U的反相输入端连接有第二开关K2和第三开关K3，所述运算放大器U的输出端连接有第一开关K1、第四开关K4及第五开关K5；所述第二开关K2的另一端连接有电阻R1及第一MOS管M1的源极；所述第三开关K3的另一端连接有第二电阻R2、第三MOS管M3的源极及第二MOS管M2的源极；所述第一开关K1的另一端与第一MOS管M1的栅极相连接；所述第四开关K4的另一端与第二MOS管M2的栅极相连接；所述第五开关K5的另一端与第三MOS管M3的栅极相连接；所述电阻R1的另一端接地；所述第一MOS管M1的漏极连接有电源；所述电阻R2的另一端接地；所述第三MOS管M3的漏极连接有第七开关K7、第一二极管D1的正极及第二二极管D2的负极；所述第二MOS管M2的漏极连接有第六开关K6、第一二极管D1的负极和第二二极管D2的正极；所述第六开关K6的另一端与第七开关K7的另一端相连接；所述第六开关K6和第七开关K7连接有电源。

全文数据：

权利要求：

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