申请/专利权人：杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712174A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明公开了一种同时具有沟槽和漂移区埋层的SOI‑LDMOS晶体管，其包括由下至上依次层叠设置的衬底层、埋氧层、硅膜层和器件顶层。硅膜层中的漂移区的左上方设置有梯形沟槽结构，右下方设置有梯形埋层结构。本发明在漂移区内引入呈直角梯形的沟槽结构和埋层结构，使得漂移区电流能够按照特定的路径进行流通，同时缩小漂移区内电流流动区域，有效地提升了漂移区的掺杂浓度，极大地降低了器件的导通电阻，在漂移区内右下侧引入的埋层不仅改变了电流流通路径，同时与埋氧层共同承担电压，有效地提升了器件的耐压性能，源端左侧以及埋氧层内部采用L型栅级将电流引入漂移区内，改变了电流流通路径，对于降低器件的导通电阻也具有重要意义。

主权项：1.一种同时具有沟槽和漂移区埋层的SOI-LDMOS晶体管，包括从下至上依次层叠的设置的衬底层6、埋氧层5、硅膜层和器件顶层；硅膜层包括依次排列的栅极1、源区2、硅体3、漂移区4、漏区5；其特征在于：所述的硅膜层还包括沟槽结构11和埋层结构12；内沟槽结构11设置在漂移区4背离埋氧层5的一侧；埋层结构12设置在漂移区4靠近埋氧层5的一侧；漏区5位于埋层结构12的上方；沟槽结构11和埋层结构12的纵截面均呈直角梯形；埋层结构12长度较大的底边，与埋氧层6贴合；沟槽结构11长度较大的底边与源区2、硅体3、漏区5和埋氧层6的顶面平齐；沟槽结构11的直腰与硅体3贴合；埋层结构12的直腰与埋氧层5背离漂移区4的侧面平齐。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学 同时具有沟槽和漂移区埋层的SOI-LDMOS晶体管

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD