申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2021-09-08

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN113707200B

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2021.12.14#实质审查的生效;2021.11.26#公开

摘要：本申请提供一种存储器及其读、写、擦除方法。该存储器包括H个沿第一方向平行设置的存储面，存储面以第二方向延伸，存储面包括M列存储串，存储串以第三方向延伸，第一方向、第二方向和第三方向均不同；H和M均为大于零的整数；一个存储串包括：依次连接的N行忆阻存储单元、N条字线、选通晶体管、选通线、位线、公共源线，所有存储串中最后一行的忆阻存储单元均与公共源线连接，公共源线通过参考电阻接参考电位。本申请可以提升存储器的使用性能。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：H个沿第一方向平行设置的存储面，所述存储面以第二方向延伸，所述存储面包括M列存储串，所述存储串以第三方向延伸，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向均不同；H和M均为大于零的整数；一个所述存储串包括：依次连接的N行忆阻存储单元，N为大于零的整数；N条字线，一个所述字线连接一个所述忆阻存储单元，所述字线用于接收字线电压，不同所述存储串中属于同一行的所述忆阻存储单元接收同一个字线电压；选通晶体管，所述选通晶体管的源极与第一行的所述忆阻存储单元连接；选通线，与所述选通晶体管的栅极连接，用于接收选通电压，一个存储面中所有选通晶体管接收同一个选通电压；位线，与所述选通晶体管的漏极相连，用于接收位线电压，不同存储面中处于同一列的选通晶体管接收同一个位线电压；还包括：公共源线，所有所述存储串中最后一行的忆阻存储单元均与所述公共源线连接，所述公共源线通过参考电阻接参考电位；所述忆阻存储单元包括一个晶体管和一个忆阻器，所述忆阻器的第一端与所述晶体管的源极连接，所述忆阻器的第二端与同一存储串中所有忆阻器的第二端均相连，所述晶体管的源极与同存储串中相邻晶体管的漏极相连，且所述存储串中处于最后一行的晶体管的源极与所述公共源线相连；所述字线与所述晶体管的栅极连接；当欲擦除存储串为第i存储面中第j存储串时，所述公共源线处和所述第j存储串对应的位线处具有电平差，所述电平差和所述第j存储串中每个字线的字线电平用于导通所述第j存储串中所有的晶体管；且，所述第i存储面中所有选通晶体管导通，除所述第i存储面的所有存储面中选通晶体管均截止；且，除所述第i存储面中第j存储串之外的所有存储串中的晶体管中均无电流形成；i和j均为大于零的整数，且i小于或等于H，j小于或等于M。

全文数据：

权利要求：

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