申请/专利权人：格芯美国公司

申请日：2019-06-27

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN110782939B

主分类号：G11C16/10

分类号：G11C16/10;G11C16/14;G11C11/407

优先权：["20180727 US 16/047529"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.12.08#专利申请权的转移;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要：本公开涉及编程和擦除存储器结构。本公开一般涉及半导体结构，更具体地，涉及编程和擦除存储器结构以及制造方法。半导体存储器包括：电荷捕获晶体管；以及自加热电路，其选择性地将电压施加到电荷捕获晶体管的端子，以辅助电荷捕获晶体管的擦除操作。

主权项：1.一种半导体存储器，包括：电荷捕获晶体管，包括衬底、在所述衬底中的源极、在所述衬底中的漏极以及在所述衬底中的在所述源极和所述漏极之间的沟道区域、在所述沟道区域之上的栅极、以及在所述栅极和所述沟道区域之间并被配置为捕获所述电荷的栅极电介质；以及自加热电路，其选择性地将电压施加到所述电荷捕获晶体管的端子，以加热所述栅极电介质从而辅助所述电荷捕获晶体管的擦除操作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯美国公司 编程和擦除存储器结构

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