申请/专利权人：吉林大学

申请日：2021-12-10

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN114188433B

主分类号：H01L31/102

分类号：H01L31/102;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2022.04.01#实质审查的生效;2022.03.15#公开

摘要：本发明公开了一种可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件及其制备方法，属于宽禁带半导体的近红外光激发技术领域，由上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd与h‑BN@电极进行附着结合得到；当近红外光源照射光电转换器件时，表面的上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd经由内部7光子上转换发光可产生波长为205nm和195.3nm的紫外荧光，为h‑BN的光激发提供能量，从而实现h‑BN的近红外光激发。由于h‑BN材料为宽禁带半导体，实现其光激发所需的光源为波长小于210nm的深紫外光，故由h‑BN材料制成的光电转换器件多用于深紫外光的探测。本发明提出的可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件在丰富了以h‑BN为原材料的光电转换器件可探测光源的波长范围的同时，还解决了使用h‑BN作为光触媒应用于光催化领域的关键技术难点。

主权项：1.一种可被近红外光激发的h-BN光电转换器件，其特征在于，由上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd与h-BN@电极进行附着结合得到；具体地从下到上依次由蓝宝石衬底（7）、h-BN薄膜层（6）、叉指电极层（5）及上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd（4）组成，当近红外光源照射光电转换器件时，表面的上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd经由内部7光子上转换发光过程可产生波长为205nm和195.3nm的深紫外荧光，为h-BN的光激发提供能量，从而实现h-BN的近红外光激发。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 吉林大学 一种可被近红外光激发的h-BN光电转换器件及其制备方法

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