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【发明授权】一种改善宽温工作增益起伏的77GHz雷达接收机电路_中国电子科技集团公司第三十八研究所_201910919856.1 

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第三十八研究所

申请日:2019-09-26

公开(公告)日:2024-03-15

公开(公告)号:CN110554389B

主分类号:G01S13/931

分类号:G01S13/931;G01S7/02;H03F1/26;H03F1/30;H03F3/213;H03F3/24;H03F3/45;H03G3/30

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.15#授权;2020.01.03#实质审查的生效;2019.12.10#公开

摘要:本发明涉及一种改善宽温工作增益起伏的77GHz雷达接收机电路,包括:毫米波信号接收模块,接收来自片外的毫米波信号和来自本振信号倍频模块的77GHz本振信号,进行下变频处理变为基带信号,再将基带信号输送至基带信号预处理模块;本振信号倍频模块,将38.5GHz本振信号倍频为77GHz本振信号,并将77GHz本振信号放大后传输至毫米波信号接收模块作为下变频处理的本振信号;基带信号预处理模块,接收来自毫米波信号接收模块的基带信号,将其滤波放大后输出。本发明在改善电路宽温工作增益起伏的同时,不会影响线性度,且对因宽温工作增益起伏导致的噪声恶化也具有改善作用;可靠性强,对工艺一致性依赖较小。

主权项:1.一种改善宽温工作增益起伏的77GHz雷达接收机电路,其特征在于:包括:毫米波信号接收模块(1),接收来自片外的毫米波信号和来自本振信号倍频模块(2)的77GHz本振信号,进行下变频处理变为基带信号,再将基带信号输送至基带信号预处理模块(3);本振信号倍频模块(2),将38.5GHz本振信号倍频为77GHz本振信号,并将77GHz本振信号放大后传输至毫米波信号接收模块(1)作为下变频处理的本振信号;基带信号预处理模块(3),接收来自毫米波信号接收模块(1)的基带信号,将其滤波放大后输出;所述毫米波信号接收模块(1)包括毫米波信号输入接口(4)、低噪声放大器(5)、混频器(6)和偏置电路模块(16),所述毫米波信号输入接口(4)依次与低噪声放大器(5)、混频器(6)、基带信号预处理模块(3)连接,所述混频器(6)还与本振信号倍频模块(2)连接,所述偏置电路模块(16)输出4路偏置电压VB1、VB2、VB3、VB4分别连接到低噪声放大器(5)和混频器(6)进行电压偏置;所述基带信号预处理模块(3)包括基带信号输出接口(15)、与基带信号输出接口(15)依次连接的第三缓冲放大器(14)、低通滤波器(13)、第二缓冲放大器(12)、第一缓冲放大器(11)和高通滤波器(10),高通滤波器(10)还与毫米波信号接收模块(1)连接,所述基带信号预处理模块(3)还包括与第一缓冲放大器(11)连接的宽温增益3位控制接口(17);所述偏置电路模块(16)提供VB1、VB2、VB3、VB4四个偏置电压,偏置电路模块(16)分别与低噪声放大器(5)、混频器(6)连接,偏置电路模块(16)包括第一偏置电压输出端VB1、第二偏置电压输出端VB2、第三偏置电压输出端VB3、第四偏置电压输出端VB4、NMOS管N7、NMOS管N8、NMOS管N9、NMOS管N10、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8;PMOS管P1的栅极同时连接电阻R1的一端、电阻R2的一端,PMOS管P1的漏极与电阻R1的另一端连接到外部1.0V电源VDD,PMOS管P1的源极与NMOS管N7的漏极和栅极、电容C7的一端连接到第一偏置电压输出端VB1,NMOS管N7的源极与电阻R2的另一端、电容C7的另一端连接到地;PMOS管P2的栅极同时连接电阻R3的一端、电阻R4的一端,PMOS管P2的漏极与电阻R3的另一端连接到外部1.0V电源VDD,PMOS管P2的源极与NMOS管N8的漏极和栅极、电容C8的一端连接到第二偏置电压输出端VB2,NMOS管N8的源极与电阻R4的另一端、电容C8的另一端连接到地;PMOS管P3的栅极同时连接电阻R5的一端、电阻R6的一端,PMOS管P3的漏极与电阻R5的另一端连接到外部1.0V电源VDD,PMOS管P3的源极与NMOS管N9的漏极和栅极、电容C9的一端连接到第三偏置电压输出端VB3,NMOS管N9的源极与电阻R6的另一端、电容C9的另一端连接到地;PMOS管P4的栅极同时连接电阻R7的一端、电阻R8的一端,PMOS管P4的漏极与电阻R7的另一端连接到外部1.0V电源VDD,PMOS管P4的源极与NMOS管N10的漏极和栅极、电容C10的一端连接到第四偏置电压输出端VB4,NMOS管N10的源极与电阻R8的另一端、电容C10的另一端连接到地;所述第一缓冲放大器(11)为全差分可编程增益放大器,增益范围0至7dB,8个增益档位,增益步进1dB,包括差分输入端IN、差分输出端OUT、全差分运算放大器O1、电阻R11、电阻R12、电阻阵列RA1、电阻阵列RA2和译码器DEC1;所述译码器DEC1的3位输入端连接宽温增益3位控制接口(17),所述译码器DEC1的8位输出端分别与电阻阵列RA1、电阻阵列RA2连接从而控制电阻阵列RA1、电阻阵列RA2的阻值,所述全差分运算放大器O1的差分输入端IN分别通过电阻R11、电阻R12和高通滤波器(10)的差分输出端连接,所述全差分运算放大器O1的差分输出和第二缓冲放大器(12)的差分输入连接,所述电阻阵列RA1的两端分别连接全差分运算放大器O1的差分负输出端和差分正输入端,所述电阻阵列RA2的两端分别连接全差分运算放大器O1的差分正输出端和差分负输入端;所述电阻阵列RA1与电阻阵列RA2的结构相同,所述电阻阵列RA1包括NMOS管N15、NMOS管N16、NMOS管N17、NMOS管N18、NMOS管N19、NMOS管N20、NMOS管N21、NMOS管N22、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、控制端口GAIN7:0;电阻阵列RA1的输入端口I分别连接NMOS管N15至NMOS管N22的源极,控制端口GAIN7连接NMOS管N15的栅极,控制端口GAIN6连接NMOS管N16的栅极,控制端口GAIN5连接NMOS管N17的栅极,控制端口GAIN4连接NMOS管N18的栅极,控制端口GAIN3连接NMOS管N19的栅极,控制端口GAIN2连接NMOS管N20的栅极,控制端口GAIN1连接NMOS管N21的栅极,控制端口GAIN0连接NMOS管N22的栅极,NMOS管N15的漏极连接电阻R13的一端,NMOS管N16的漏极连接电阻R13的另一端和电阻R14的一端,NMOS管N17的漏极连接电阻R14的另一端和电阻R15的一端,NMOS管N18的漏极连接电阻R15的另一端和电阻R16的一端,NMOS管N19的漏极连接电阻R16的另一端和电阻R17的一端,NMOS管N20的漏极连接电阻R17的另一端和电阻R18的一端,NMOS管N21的漏极连接电阻R18的另一端和电阻R19的一端,NMOS管N22的漏极连接电阻R19的另一端和电阻R20的一端,电阻R20的另一端连接电阻阵列RA1的输出端O。

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