申请/专利权人：厦门银科启瑞半导体科技有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727823A

主分类号：H01L31/0687

分类号：H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/041;H01L31/056;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种含DBR结构的空间三结太阳能电池及制备方法，包括按序设于Ge衬底上的缓冲层、第一隧穿结、DBR结构、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池和帽层，所述DBR结构包括交替叠设的若干对AlxGa1‑xAsAlyGa1‑yAs组合层，所述AlxGa1‑xAsAlyGa1‑yAs组合层的厚度按照叠设顺序单调递减，每一组相对于前一组的厚度减小幅度分别为第一组的厚度的0.5％～2％，从而增加了DBR有效反射带宽，将未能被中电池吸收且能量高于中电池禁带宽度的光子反射回中电池再次吸收，改善了中电池厚度减薄所导致的长波段EQE下降的问题，在获得较好的辐照特性的同时获得高的光吸收效率，提高了太阳能电池的综合性能。

主权项：1.一种含DBR结构的空间三结太阳能电池，其特征在于：包括按序设于Ge衬底上的缓冲层、第一隧穿结、DBR结构、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池和帽层，所述DBR结构包括交替叠设的若干对AlxGa1-xAsAlyGa1-yAs组合层，所述AlxGa1-xAsAlyGa1-yAs组合层的厚度按照叠设顺序单调递减，每一组的AlxGa1-xAs层和AlyGa1-yAs层相对于前一组的厚度减小幅度分别为第一组的AlxGa1-xAs层和AlyGa1-yAs层厚度的0.5％～2％。

全文数据：

权利要求：

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