申请/专利权人：韩国科学技术院;成均馆大学校产学协力团

申请日：2023-03-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117729841A

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20

优先权：["20220916 KR 10-2022-0117116"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：相变材料层，位于基底上；栅电极，设置在所述相变材料层上并且引起电荷在所述相变材料层中的累积；以及一对源漏电极，在所述相变材料层上彼此间隔开，且所述栅电极位于所述一对源漏电极之间。所述相变材料层包括相变区，所述相变区具有当向所述栅电极施加电压时由于电荷的累积而改变的晶体结构。

主权项：1.一种半导体器件，包括：相变材料层，位于基底上；栅电极，设置在所述相变材料层上并且引起电荷在所述相变材料层中的累积；以及一对源漏电极，在所述相变材料层上彼此间隔开，且所述栅电极位于所述一对源漏电极之间，其中，所述相变材料层包括相变区，所述相变区具有当向所述栅电极施加电压时由于电荷的累积而改变的晶体结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 韩国科学技术院;成均馆大学校产学协力团 半导体器件

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