申请/专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司

申请日：2021-08-06

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113629099B

主分类号：H10B63/10

分类号：H10B63/10;H10N70/20;H10N70/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2021.11.09#公开

摘要：本发明提供了一种相变存储器及其制造方法，相变存储器中具有呈阵列排布的多个相变存储单元和TiO2纳米多孔材料层，各个相变存储单元均具有依次堆叠的第一电极、相变材料层和第二电极，相邻的相变存储单元之间具有间隙，TiO2纳米多孔材料层填充在所述间隙中并至少包围各个相变存储单元的相变材料层。由此，一方面，利用TiO2纳米多孔材料的机械强度来保证相变存储单元的堆叠结构的稳定性，另一方面，利用TiO2纳米多孔材料的孔隙，来使得相邻的相变存储单元之间的间隙中具有类于空气气隙优良的绝热性，从而有效地解决热串扰带来的不利影响，最终使得相变存储器的信息存储的稳定性得以提高，功耗得以降低。

主权项：1.一种相变存储器，其特征在于，包括：呈阵列排布的多个相变存储单元，各个相变存储单元均具有依次堆叠的第一电极、相变材料层和第二电极，相邻的相变存储单元之间具有间隙；TiO2纳米多孔材料层，填充在所述间隙中并至少包围各个相变存储单元的相变材料层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 相变存储器及其制造方法

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