申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司

申请日：2023-11-14

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117720925A

主分类号：C09K13/08

分类号：C09K13/08;H01L21/306

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种抑制氮化钛腐蚀的沟槽缓冲蚀刻液，主要成分为氢氟酸、氟化铵、有机胺、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于沟槽氧化硅薄膜的蚀刻，并可抑制氮化钛层腐蚀。有机胺与氮化钛表面金属离子反应，形成保护膜层，可有效抑制蚀刻液对氮化钛的腐蚀。表面活性剂可降低蚀刻液表面张力，使溶液有强的钻孔能力，使其在沟槽结构中蚀刻无残留。本发明所述的蚀刻液对氧化硅层和氮化钛层有高选择性，蚀刻选择比可＞580。本发明所述的蚀刻液可有效抑制氮化钛层腐蚀，同时保证沟槽氧化硅蚀刻无残留。

主权项：1.一种抑制氮化钛腐蚀的沟槽缓冲蚀刻液，其特征在于：所述沟槽缓冲蚀刻液成分为3-8%的氢氟酸、15-25%的氟化铵、0.03-0.3%的有机胺、0.03-0.2%的表面活性剂，剩余为超纯水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种抑制氮化钛腐蚀的沟槽缓冲蚀刻液

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