申请/专利权人：有研半导体硅材料股份公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117721523A

主分类号：C30B15/20

分类号：C30B15/20;C30B15/14;C30B15/02;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种区熔硅单晶全自动放肩方法。该放肩方法包括：1设定熔区三相点1的切线角度和三相点2的直径；2通过三相点1的切线角度的变化确定单晶加热功率增加幅度，当三相点1的切线角度大于设定上限值时，单晶加热功率增加幅度相应的减小；当三相点1的切线角度小于设定下限值时，单晶加热功率增加幅度相应增大；3通过三相点2的直径变化确定多晶给料速度的增减，当三相点2的直径大于直径设定上限时，根据直径变大的幅度调节多晶给料速度减小的幅度；当三相点2的直径小于直径设定下限时，根据直径变小幅度调节多晶给料速度增加的幅度；4单晶直径逐渐增大，直至单晶直径达到设定转肩直径，放肩过程结束。

主权项：1.一种区熔硅单晶全自动放肩方法，经过装炉、预热、化料、缩颈步骤，开启放肩程序，其特征在于，放肩过程包括以下步骤：1设定熔区三相点1的切线角度和三相点2的直径、单晶加热功率、单晶拉速、单晶转速及多晶转速，其中，所述三相点1为已经结晶的单晶固相、未结晶的熔区液相和晶体生长保护气体三相交叉点；三相点2为未熔化的多晶固相、未结晶的熔区液相和晶体生长保护气体三相交叉点；2通过三相点1的切线角度的变化确定单晶加热功率增加幅度，当三相点1的切线角度大于设定上限值时，单晶加热功率增加幅度相应的减小；当三相点1的切线角度小于设定下限值时，单晶加热功率增加幅度相应增大；3通过三相点2的直径变化确定多晶给料速度的增减，当三相点2的直径大于直径设定上限值时，根据直径变大的幅度调节多晶给料速度减小的幅度；当三相点2的直径小于直径设定下限值时，根据直径变小幅度调节多晶给料速度增加的幅度；4经过以上步骤2、3，单晶直径逐渐增大，直至单晶直径达到设定转肩直径，放肩过程结束。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 有研半导体硅材料股份公司 一种区熔硅单晶全自动放肩方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD