申请/专利权人：ASM IP私人控股有限公司

申请日：2023-09-13

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117721435A

主分类号：C23C16/06

分类号：C23C16/06;H01L21/3205;C23C16/28;C23C16/455

优先权：["20220916 US 63/407,193"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：本公开涉及在衬底上沉积包含过渡金属和卤素的材料的方法。本公开还涉及过渡金属层、包括含有过渡金属和卤素的层的结构和器件。在该方法中，通过循环沉积过程将过渡金属和卤素沉积在衬底上，并且该方法包括在反应室中提供衬底，以气相将过渡金属前体提供到反应室中，以及以气相将卤代烷前体提供到反应室中，以在衬底上形成包含过渡金属和卤素的材料。本公开还涉及用于在衬底上沉积包含过渡金属和卤素的材料的沉积组件。

主权项：1.一种通过循环沉积过程在衬底上沉积包含过渡金属和卤素的材料的方法，该方法包括：在反应器室中提供衬底；以气相将过渡金属前体提供到反应器室中；以及以气相将卤代烷前体提供到反应器室中，以在衬底上形成包含过渡金属和卤素的材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASM IP私人控股有限公司 过渡金属沉积过程和沉积组件

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