申请/专利权人：FEI公司

申请日：2023-09-12

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727646A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/67

优先权：["20220916 US 63/407,354","20230713 US 18/221,603"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：自适应端点检测应用于利用动态和预定参数的组合对多层样品进行去层。在信号特性出现时，对波峰和波谷的回顾性评估可对端点进行重新分类，从而使得能够将端点精确映射到层。所描述的技术可与分析操作整合并且可跨越广泛范围的装置类型和制造过程而应用。

主权项：1.一种设备，所述设备包括：蚀刻器；计算机可读介质，所述计算机可读介质存储指令；和一个或多个硬件处理器，所述硬件处理器具有耦合到其上的存储器，所述一个或多个硬件处理器进一步耦合到所述蚀刻器和所述计算机可读介质；其中所述指令在由所述一个或多个硬件处理器执行时使所述设备进行以下操作：在监测来自样品的一个或多个信号的同时对所述样品进行去层；基于所监测的信号的波峰或波谷来识别所述样品的连续层；响应于检测到所监测的信号的给定拐点，回顾性地改变先前波峰或波谷的层识别；当到达所述样品的预定目标层时，中止去层，其中所述预定目标层的识别取决于所改变的层识别。

全文数据：

权利要求：

百度查询： FEI公司 用于半导体样品的自动化去层的自适应和回顾性端点检测

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD