申请/专利权人：成都国泰真空设备有限公司

申请日：2024-02-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117721429A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/02;C23C14/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明属于溅射镀膜技术领域，具体涉及一种磁控溅射镀膜设备，包括：机体，形成有镀膜发生室，且机体上还设有连通于镀膜发生室的过料口；上料装置，连接于机体，上料装置的活动端设有载物台，该活动端带动载物台沿直线方向移动；真空装置，连通于镀膜发生室；氩气导入装置，连通于镀膜发生室；离子源，设置于镀膜发生室的顶壁；以及大功率的靶材，设置于镀膜发生室的顶壁，当充入氩气后产生辉光放电，使被离子化的氩气加速冲击于靶材的表面，以使靶材表面的原子飞出，并在基片表面堆积成镀膜；镀膜发生室还连通于保护气源机，当具有镀膜的基片正对离子源时，通入保护气，以在基片的镀膜上覆盖保护膜，解决了基片镀膜品质差且效率低的问题。

主权项：1.一种磁控溅射镀膜设备，其特征在于，包括：机体，形成有镀膜发生室，且所述机体上还设有连通于所述镀膜发生室的过料口；上料装置，连接于所述机体，所述上料装置的活动端设有用于承载基片的载物台，该活动端带动所述载物台沿直线方向移动，以将所述载物台上的基片通过所述过料口送入和退出于所述镀膜发生室；真空装置，连通于所述镀膜发生室，以朝向所述镀膜发生室抽空至目标真空度；氩气导入装置，连通于所述镀膜发生室，以向所述镀膜发生室中充入氩气；离子源，设置于所述镀膜发生室的顶壁，当充入氩气后，所述离子源产生辉光放电，以使离子化的氩气冲击并清洗基片；以及大功率的靶材，设置于所述镀膜发生室的顶壁，当充入氩气后产生辉光放电，使被离子化的氩气加速冲击于所述靶材的表面，以使靶材表面的原子飞出，并在基片表面堆积成镀膜；其中，所述镀膜发生室还连通于保护气源机，当具有镀膜的基片正对所述离子源时，通入保护气，以在所述基片的镀膜上覆盖保护膜。

全文数据：

权利要求：

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