申请/专利权人：杰华特微电子股份有限公司

申请日：2023-10-17

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727778A

主分类号：H01L29/73

分类号：H01L29/73;H01L21/331

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请提供了一种双极结型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：位于衬底上的第一阱区、第二阱区、第一注入区和第二注入区；第二阱区的底面和至少一个侧面与第一阱区接触；第一注入区位于第二阱区内；第二注入区横跨第一阱区和第二阱区，且第一注入区和第二注入区在横向上彼此间隔第一距离；第一注入区构成双极结型晶体管的发射区，第二阱区构成双极结型晶体管的基区，第一阱区和第二注入区共同构成双极结型晶体管的集电区，该双极结型晶体管具有更大的集电区和发射结面积和发射极注入效率，能够有效的提升双极结型晶体管的放大系数，实现了晶体管的高增益。

主权项：1.一种双极结型晶体管，其中，包括：位于衬底上的第一阱区、第二阱区、第一注入区和第二注入区；所述第二阱区的底面和至少一个侧面与所述第一阱区接触；所述第一注入区位于所述第二阱区内；所述第二注入区横跨所述第一阱区和所述第二阱区，且所述第一注入区和所述第二注入区在横向上彼此间隔第一距离；所述第一阱区、所述第一注入区和所述第二注入区具有第一掺杂类型，所述第二阱区具有第二掺杂类型；其中，所述第一注入区构成所述双极结型晶体管的发射区，所述第二阱区构成所述双极结型晶体管的基区，所述第一阱区和所述第二注入区共同构成所述双极结型晶体管的集电区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杰华特微电子股份有限公司 双极结型晶体管及其制造方法

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