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【发明公布】一种NaBiO3@Bi2O3/g-C3N4异质结光催化剂及其制备方法和应用_运城学院_202311707731.5 

申请/专利权人:运城学院

申请日:2023-12-12

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN117718037A

主分类号:B01J23/18

分类号:B01J23/18;B01D53/86;B01D53/56;C02F1/30;B01J27/24;B01J35/39;B01J35/30;B01J37/16;B01J37/08;B01J37/34;C02F101/34;C02F101/38;C02F101/36

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要:本发明提供一种NaBiO3@Bi2O3g‑C3N4异质结光催化剂及其制备方法和应用,所述NaBiO3@Bi2O3g‑C3N4异质结中含氧空位和氮空位缺陷,表现为3D2D的微观形貌,Bi2O3包裹在NaBiO3表面,形成核壳结构;所制备异质结可吸收420‑800nm范围内的可见光,且表现为双S型的电荷转移机制,光生电子‑空穴对具有较高的分离效率和较强的氧化还原能力,且异质结具有良好的结构稳定性。

主权项:1.一种NaBiO3@Bi2O3g-C3N4异质结光催化剂,其特征在于,该催化剂是NaBiO3、Bi2O3和类石墨相g-C3N4三者的复合材料,Bi2O3包裹在NaBiO3表面,形成核壳结构NaBiO3@Bi2O3,NaBiO3@Bi2O3表现为纳米片自组装形成的纳米花形貌;NaBiO3和Bi2O3晶格中均含氧空位缺陷;g-C3N4为纳米片结构,晶格中含氮空位缺陷。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 运城学院 一种NaBiO3@Bi2O3/g-C3N4异质结光催化剂及其制备方法和应用

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