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【发明公布】一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法_杭州大和热磁电子有限公司_202311746399.3 

申请/专利权人:杭州大和热磁电子有限公司

申请日:2023-12-18

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN117718682A

主分类号:B23P6/00

分类号:B23P6/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要:本发明公开了一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法,旨在解决焊缝气孔补焊后,后续产品表面处理在补焊位置会出现色差,影响产品外观的不足。该发明包括以下步骤:S1,对铝腔体焊缝表面去材料加工;去材料加工后未出现气孔,则进行S3;去材料加工后出现气孔,则进行S2;S2,对出现气孔的焊缝区域进行搅拌摩擦焊消孔,消除气孔;S3,对焊缝进行去毛刺加工。本发明的半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法规避了加丝补焊,可以使焊缝在后期表面处理后,焊缝颜色一致性较好。

主权项:1.一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法,其特征是,包括以下步骤:S1,对铝腔体焊缝表面去材料加工;去材料加工后未出现气孔,则进行S3;去材料加工后出现气孔,则进行S2;S2,对出现气孔的焊缝区域进行搅拌摩擦焊消孔,消除气孔;S3,对焊缝进行去毛刺加工。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 杭州大和热磁电子有限公司 一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法

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