申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2022-11-14

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727760A

主分类号：H01L27/088

分类号：H01L27/088;H01L27/092;B82Y10/00;H01L29/06

优先权：["20211214 US 17/551,022"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：描述了具有电介质锚定物空隙的集成电路结构以及制作具有电介质锚定物空隙的集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括位于浅沟槽隔离STI结构中的子鳍状物。多条水平堆叠的纳米线位于该子鳍状物之上。栅极电介质材料层包围所述水平堆叠的纳米线。栅电极结构位于栅极电介质材料层之上。电介质锚定物与所述多条水平堆叠的纳米线横向隔开，并且凹陷到该STI结构的第一部分中。位于所述多条水平堆叠的纳米线的与该电介质锚定物相对的一侧上的该STI结构的第二部分具有位于其中的沟槽。电介质栅极插塞位于该电介质锚定物上。

主权项：1.一种集成电路结构，包括：位于第一子鳍状物之上的第一鳍状物结构，所述第一子鳍状物位于隔离结构中；与所述第一鳍状物结构横向间隔开的第二鳍状物结构，所述第二鳍状物结构位于第二子鳍状物之上，所述第二子鳍状物位于所述隔离结构中；位于所述隔离结构中的电介质锚定物，所述电介质锚定物横向地位于所述第一鳍状物结构和所述第二鳍状物结构之间并与所述第一鳍状物结构和所述第二鳍状物结构间隔开；位于所述第一鳍状物结构之上和所述第二鳍状物结构之上的栅极电介质层，并且所述栅极电介质层位于所述电介质锚定物的侧面上；位于所述栅极电介质层之上的栅电极，所述栅电极具有位于所述第一鳍状物结构之上的第一部分并且具有位于所述第二鳍状物结构之上的第二部分，其中，所述电介质锚定物横向地位于所述栅电极的所述第一部分和所述栅电极的所述第二部分之间；以及位于所述电介质锚定物的所述顶表面上的栅极切割插塞，所述栅极切割插塞位于所述栅电极的所述第一部分和所述栅电极的所述第二部分之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 具有电介质锚定物空隙的集成电路结构

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