申请/专利权人：珠海创飞芯科技有限公司

申请日：2020-10-13

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112234061B

主分类号：H10B20/25

分类号：H10B20/25

优先权：["20200115 US 16/744,060"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.02.02#实质审查的生效;2021.01.15#公开

摘要：反熔丝一次性可编程存储单元包括基板，形成在基板上的选择晶体管，以及形成在基板上的反熔丝电容器。选择晶体管包括形成在基板上的第一栅极介电层，形成在栅极介电层上的第一栅极，形成在基板中的第一低压结和形成在基板中的第二低压结。选择晶体管的源极和漏极由第一低电压结和第二低电压结形成。反熔丝电容器包括形成在基板上的第二栅极电介质层，形成在栅极电介质层上的第二栅极，形成在基板中的第三低电压结和形成在基板中的第四低电压结。反熔丝电容器的源极和漏极分别由第三低电压结和第四低电压结形成。

主权项：1.一种反熔丝一次性可编程存储单元，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成的选择晶体管，其中所述选择晶体管包括：形成在所述基板上的第一栅极介电层，第一栅极，形成在所述第一栅极介电层上，所述第一栅极介电层为高电压栅极介电层；第一低压结，形成在所述基板中，其中，第一低压结具有低于3.2伏的阈值结击穿电压，所述第一低压结包括具有不同掺杂浓度的两个掺杂区，所述第一低压结包括在比远离所述第一栅极介电层的第二掺杂区低的掺杂浓度下与所述第一栅极介电层相邻的第一掺杂区，所述第一低压结所包括的两个掺杂区中的一者具有在3x1017-1x1019原子cm-3的范围内的掺杂剂水平的电活性浓度，其中所述两个掺杂区中的另一者具有高于2x1019原子cm-3的掺杂剂水平的电活性浓度；以及形成在所述基板中的第二低压结，其中，所述第二低压结具有低于3.2伏的阈值结击穿电压，所述第二低压结包括具有不同掺杂浓度的两个掺杂区，所述第二低压结包括在比远离所述第一栅极介电层的第二掺杂区低的掺杂浓度下与所述第一栅极介电层相邻的第一掺杂区，所述第二低压结所包括的两个掺杂区中的一者具有在3x1017-1x1019原子cm-3的范围内的掺杂剂水平的电活性浓度，其中所述两个掺杂区中的另一者具有高于2x1019原子cm-3的掺杂剂水平的电活性浓度；其中，所述选择晶体管的源极和漏极由所述第一低压结和所述第二低压结形成，以使得所述高电压栅极介电层与低压结组合，从而使得所述选择晶体管具有高压编程和更小的覆盖区；以及形成在所述基板上的反熔丝电容器，其中所述反熔丝电容器包括：形成在所述基板上的第二栅极介电层，第二栅极，形成在所述栅极介电层上；形成在所述基板中的第三低压结；以及形成在所述基板中的第四低压结，其中，所述反熔丝电容器的源极和漏极分别由所述第三低压结和所述第四低压结形成。

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权利要求：

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