申请/专利权人：深圳大学

申请日：2022-02-15

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN114657512B

主分类号：C23C14/08

分类号：C23C14/08;C23C14/34;H01L31/032;H01L31/09

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.07.12#实质审查的生效;2022.06.24#公开

摘要：本申请属于材料技术领域，尤其涉及一种掺杂的氧化镓紫外探测材料及其制备方法，以及一种光电探测器。其中，掺杂的Ga2O3紫外探测材料的制备方法，包括步骤：将所述靶材和衬底分别固定在沉积腔室内；所述靶材中掺杂有铟元素、锡元素中的至少一种；将所述沉积腔室内的压强调节至真空环境后，对所述衬底进行升温处理，调节所述沉积腔室内的氧压为1～20Pa；去除所述靶材表面的氧化层后，在所述衬底表面进行气相沉积，冷却得到掺杂的Ga2O3紫外探测材料。本申请方法通过对氧压调控及元素掺杂，使制得的材料同时具有较宽的光学吸收截止边、较好的导电性能、较高的载流子浓度，可有效提高光电探测器的光电转化效率。

主权项：1.一种掺杂的Ga2O3紫外探测材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：获取掺杂的氧化镓靶材和表面清洁的衬底，将所述靶材和衬底分别固定在沉积腔室内；所述靶材中掺杂有铟元素；所述靶材中铟元素与镓元素的摩尔比1：（3~5）；将所述沉积腔室内的压强调节至真空环境后，对所述衬底进行升温处理，调节所述沉积腔室内的氧压为1~20Pa；去除所述靶材表面的氧化层后，在所述衬底表面进行气相沉积，冷却得到非晶态的掺杂的Ga2O3紫外探测材料；所述掺杂的Ga2O3紫外探测材料实现全波段日盲紫外探测；所述掺杂的Ga2O3紫外探测材料为InGa2O3薄膜材料，其中In元素的掺杂含量为14~17%。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳大学 掺杂的氧化镓紫外探测材料及制备方法、光电探测器

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