申请/专利权人：芯蓉光科(成都)信息技术有限公司

申请日：2018-03-27

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN108181968B

主分类号：G05F3/26

分类号：G05F3/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2018.07.13#实质审查的生效;2018.06.19#公开

摘要：本发明公开了一种基准电压产生电路,包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9。本发明基于具有负温度系数的MOS管阈值电压和正温度系数的热电压来设计电路，提供一种基准电压产生电路，电路结构全部由MOS晶体管构成，没有使用三极管和电阻，符合标准CMOS工艺，相比与带隙基准设计，降低了体积和功耗，同时，本发明在节省了一路电流镜支路的前提下进行温度系数补偿和基准电压输出，仅需要三路电流镜支路即可构建基准电压产生电路，进一步降低了基准电压产生电路的功耗。

主权项：1.一种基准电压产生电路，其特征在于：包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9；所述第七MOS管M7的源级连接电源电压，第七MOS管M7的漏级与第一MOS管M1的漏级连接，所述第七MOS管M7的栅极与第八MOS管M8的栅极连接；所述第八MOS管M8的源级连接电源电压，第八MOS管M8的漏级与第二MOS管M2的漏级连接，所述第八MOS管M8的栅极还与第八MOS管M8的漏级连接；所述第九MOS管M9的源级连接电源电压，第九MOS管M9的漏级与第三MOS管M3的漏级连接，所述第九MOS管M9的栅极与第八MOS管M8的漏级连接；所述第一MOS管M1的栅极与第二MOS管M2的栅极连接，所述第一MOS管M1的栅极还与第一MOS管M1的漏级连接，第一MOS管M1的源级与第六MOS管M6的漏级连接，所述第一MOS管M1的漏级还连接基准电压产生电路的输出端；所述第二MOS管M2的源级与第四MOS管M4的漏级连接；所述第三MOS管M3的源级接地，第三MOS管M3的栅极与第四MOS管M4的栅极连接，所述第三MOS管M3的栅极还与第三MOS管M3的漏级连接；所述第四MOS管的源级与第五MOS管的漏级连接；所述第五MOS管M5的源级接地，第五MOS管M5的栅极与第三MOS管M3的栅极连接，所述第六MOS管M6的源级接地，第六MOS管的栅极与第三MOS管M3的栅极连接；所述第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6均为NMOS管；所述的第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9均为PMOS管；所述的第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9均包括衬底；其中，第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9的衬底连接电源电压；第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6的衬底接地。

全文数据：一种超低功耗的基准电压产生电路技术领域[0001]本发明涉及基准电压源，特别是涉及一种超低功耗的基准电压产生电路。背景技术[0002]基准电压源是集成电路中的一种常见电路，用于产生一个不随电源电压变化的基准电压，此电压可以用于为集成电路系统中的其他模块提供精准的参考电压，基准电压源在集成电路系统中具有重要的地位，其精度、速度都极大的影响系统电路的性能;传统的基准电压产生电路采用带隙基准设计，在这些设计中，利用双极型晶体管的基极一发射极电压具有负温度特性，而工作在不同电流密度下的基极一发射极电压之差则具有正温度特性，两者相互补偿可得到与温度无关的输出电压，但是带隙基准却存在着功耗较高的问题。[0003]为了降低基准电压源的功耗，申请号为CN201611221434.X的专利公开了“一种超低功耗基准电压源电路系统”，该专利基于具有负温度系数的阈值电压和具有正温度系数的热电压来设计电路，电路结构全部由MOS晶体管构成，没有使用三极管和电阻，也大大减小了芯片面积，相比与带隙基准设计，也降低了功耗;但是该专利总共需要四路电流镜支路，其中三路电流镜支路用于构建PTAT电流产生电路，第四路电流镜支路用于构建负载电路，产生基准电压并补偿温度系数，但是该方案电流镜支路过多，依然存在着功耗较大的问题。发明内容[0004]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种超低功耗的基准电压产生电路，在节省了一路电流镜支路的前提下进行温度系数补偿和基准电压输出，显著降低了基准电压产生电路的功耗。[0005]本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种超低功耗的基准电压产生电路，包括第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9;[0006]所述第七MOS管M7的源级连接电源电压，第七MOS管M7的漏级与第一MOS管Ml的漏级连接，所述第七MOS管M7的栅极与第八MOS管M8的栅极连接;所述第八MOS管M8的源级连接电源电压，第八MOS管M8的漏级与第二MOS管M2的漏级连接，所述第八MOS管M8的栅极还与第八MOS管M8的漏级连接;所述第九MOS管M9的源级连接电源电压，第九MOS管M9的漏级与第三MOS管M3的漏级连接，所述第九MOS管M9的栅极与第八MOS管M8的漏级连接；[0007]所述第一MOS管Ml的栅极与第二MOS管M2的栅极连接，所述第一MOS管Ml的栅极还与第一MOS管Ml的漏级连接，第一MOS管Ml的源级与第六MOS管M6的漏级连接，所述第一MOS管Ml的漏级还连接基准电压产生电路的输出端;所述第二MOS管M2的源级与第四MOS管M4的漏级连接;所述第三MOS管M3的源级接地，第三MOS管M3的栅极与第四MOS管M4的栅极连接，所述第三MOS管M3的栅极还与第三MOS管M3的漏级连接;所述第四MOS管的源级与第五MOS管的漏级连接;所述第五MOS管M5的源级接地，第五MOS管M5的栅极与第三MOS管M3的栅极连接，所述第六MOS管M6的源级接地，第六MOS管的栅极与第三MOS管M3的栅极连接。[0008]所述第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6均为NMOS管。[0009]所述的第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9均为PMOS管。[0010]所述的第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9均包括衬底；其中，第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9的衬底连接电源电压；第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6的衬底接地。[0011]本发明的有益效果是:本发明在节省了一路电流镜支路的前提下进行温度系数补偿和基准电压输出，仅需要三路电流镜支路即可构建基准电压产生电路，显著降低了基准电压产生电路的功耗。附图说明[0012]图1为本发明的电路原理图。具体实施方式[0013]下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案，但本发明的保护范围不局限于以下所述。[0014]如图1所示，一种超低功耗的基准电压产生电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9;[0015]所述第七MOS管M7的源级连接电源电压，第七MOS管M7的漏级与第一MOS管Ml的漏级连接，所述第七MOS管M7的栅极与第八MOS管M8的栅极连接;所述第八MOS管M8的源级连接电源电压，第八MOS管M8的漏级与第二MOS管M2的漏级连接，所述第八MOS管M8的栅极还与第八MOS管M8的漏级连接;所述第九MOS管M9的源级连接电源电压，第九MOS管M9的漏级与第三MOS管M3的漏级连接，所述第九MOS管M9的栅极与第八MOS管M8的漏级连接；[0016]所述第一MOS管Ml的栅极与第二MOS管M2的栅极连接，所述第一MOS管Ml的栅极还与第一MOS管Ml的漏级连接，第一MOS管Ml的源级与第六MOS管M6的漏级连接，所述第一MOS管Ml的漏级还连接基准电压产生电路的输出端;所述第二MOS管M2的源级与第四MOS管M4的漏级连接;所述第三MOS管M3的源级接地，第三MOS管M3的栅极与第四MOS管M4的栅极连接，所述第三MOS管M3的栅极还与第三MOS管M3的漏级连接;所述第四MOS管的源级与第五MOS管的漏级连接;所述第五MOS管M5的源级接地，第五MOS管M5的栅极与第三MOS管M3的栅极连接，所述第六MOS管M6的源级接地，第六MOS管的栅极与第三MOS管M3的栅极连接。[0017]所述第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6均为NMOS管。[0018]所述的第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9均为PMOS管。[0019]所述的第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9均包括衬底；其中，第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9的衬底连接电源电压；第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6的衬底接地。[0020]在本申请的实施例中，第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9和第三MOS管M3工作在饱和区，第一MOS管和第二MOS管工作在亚阈值区，第五MOS管和第六MOS管工作在线性区[0021]在本发明中，第八MOS管M8与分别与第七MOS管M7和第九MOS管构成电流镜，形成了三路电流镜支路；[0022]第一MOS管Ml和第二MOS管M2的电流分别为：[0024]其中，，表示热电压，Kl为第一MOS管Ml的宽长比，K2表示第二MOS管M2的宽长比，I表示特征电流，，μη为迀移率，^为单位面积的栅氧化层电容；VGSl为第一MOS管Ml的栅源电压，VTHl为第一MOS管Ml的阈值电压;VGS2为第二MOS管M2的栅源电压，VTH2为第二MOS管M2的阈值电压，m为大于1的常数，表示非理想因子。[0025]对Il、12的计算公式进行变形得到：[0027]因为第七MOS管M7和第八MOS管M8构成电流镜，第一MOS管Ml在第七MOS管M7的电流镜支路上，第二MOS管M2在第八MOS管M8的电流镜支路上，故：[0029]其中，K7，K8分别表示M7和M8的宽长比；[0030]第四MOS管Μ4等效于电阻，用于产生偏置电流，第四MOS管的漏源电压VDSm4为：[0032]式中，δνΤΗ即第一NMOS管丽1和第二NMOS管丽2的阈值电压之差，式中，与热力学温度T成正比，故VDSm4为正温度系数。[0033]第三MOS管M3主要用于调节第四MOS管Μ4的栅压;第五MOS管Μ5和第六MOS管Μ6均等效于电阻，用于补偿VTHl的负温度系数；[0034]第三MOS管M3、第四MOS管Μ4和第五MOS管Μ5的电流分别为：[0037]13为流过第三MOS管M3的电流，14为流过第四MOS管M4的电流，15为流过第五MOS管M5的电流；[0038]M8和M9组成电流镜，所以笮[0039]将13和15的表达式带入上式可得：[0044]由电路可知，14=15，[0045]将14和15的表达式上式代入公式可得[0049]又因为上面已求得Va=AVDSi*[0051]第五MOS管和第六MOS管的宽长比成一定比例，使得第五MOS管和第六MOS管的漏源电压一致，即VDSms=VDSm6，再根据上面求得[0054]VDSm5表不第五MOS管的漏源电压;VDSm6为第六MOS管M6的漏源电压；[0055]本发明中，基准电压产生电路输出的电压VREF为：[0057]通过上式可以发现，通过设置合适参数，即可得到对应的A，B值，进而产生足够大的正温度电压，与VTHl的负温度系数抵消，得到零温系数的基准电压。[0058]综上，本发明在节省了一路电流镜支路的前提下进行温度系数补偿和基准电压输出，仅需要三路电流镜支路即可构建基准电压产生电路，显著降低了基准电压产生电路的功耗。

权利要求：1.一种超低功耗的基准电压产生电路，其特征在于：包括第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9;所述第七MOS管M7的源级连接电源电压，第七MOS管M7的漏级与第一MOS管Ml的漏级连接，所述第七MOS管M7的栅极与第八MOS管M8的栅极连接;所述第八MOS管M8的源级连接电源电压，第八MOS管M8的漏级与第二MOS管M2的漏级连接，所述第八MOS管M8的栅极还与第八MOS管M8的漏级连接;所述第九MOS管M9的源级连接电源电压，第九MOS管M9的漏级与第三MOS管M3的漏级连接，所述第九MOS管M9的栅极与第八MOS管M8的漏级连接；所述第一MOS管Ml的栅极与第二MOS管M2的栅极连接，所述第一MOS管Ml的栅极还与第一MOS管Ml的漏级连接，第一MOS管Ml的源级与第六MOS管M6的漏级连接，所述第一MOS管Ml的漏级还连接基准电压产生电路的输出端;所述第二MOS管M2的源级与第四MOS管M4的漏级连接;所述第三MOS管M3的源级接地，第三MOS管M3的栅极与第四MOS管M4的栅极连接，所述第三MOS管M3的栅极还与第三MOS管M3的漏级连接;所述第四MOS管的源级与第五MOS管的漏级连接;所述第五MOS管M5的源级接地，第五MOS管M5的栅极与第三MOS管M3的栅极连接，所述第六MOS管M6的源级接地，第六MOS管的栅极与第三MOS管M3的栅极连接。2.根据权利要求1所述的一种超低功耗的基准电压产生电路，其特征在于：所述第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6均为NMOS管。3.根据权利要求1所述的一种超低功耗的基准电压产生电路，其特征在于:所述的第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9均为PMOS管。4.根据权利要求1所述的一种超低功耗的基准电压产生电路，其特征在于:所述的第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9均包括衬底；其中，第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9的衬底连接电源电压；第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6的衬底接地。

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