申请/专利权人:北京鼎材科技有限公司
申请日:2019-10-29
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN112745318B
主分类号:C07D487/04
分类号:C07D487/04;C07D519/00;H10K50/16;H10K85/60
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.19#授权;2022.08.19#实质审查的生效;2021.05.04#公开
摘要:本发明涉及一种化合物及其应用,所述化合物具有式I所示的结构。所述化合物以喹喔啉并三氮唑为母核,使化合物具有更强的缺电子性能,因此有利于电子的注入。同时,本发明的母核为大共轭结构的缺电子基团,使分子具有良好的平面共轭性,从而有利于提高电子的迁移率。本发明的化合物用作有机电致发光器件中的电子传输材料时,可以有效提升器件的电子注入和迁移效率,从而确保器件获得较高的发光效率以及较低的驱动电压。
主权项:1.一种化合物,其特征在于,所述化合物具有式III所示的结构; 式III中,所述L1和L2各自独立地选自单键、取代或未取代的如下基团中的任意一种: 所述Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的C6~C20芳基或者取代或未取代的C3~C20杂芳基;并且所述Ar1和Ar2中至少有一项选自氰基取代的C6~C20芳基、取代或未取代的如下基团中的任意一种: 虚线代表基团的连接位点;所述R选自卤素、C1~C12链状烷基、C3~C12环烷基、取代或未取代的C6~C20芳基或者取代或未取代的C3~C20杂芳基中的任意一种;所述n为0或1;当上述基团存在取代基时,所述取代基选自卤素、氰基、C1~C12链状烷基、C3~C12环烷基、C1~C6烷氧基、C6~C20单环芳基、C10~C20稠环芳基、C3~C20单环杂芳基或C6~C20稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
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权利要求:
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