申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-09-28

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112018106B

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：本发明公开了一种高压静电保护结构，基于SCR，在衬底中具有第一高压阱及第二高压阱，第一高压阱中有第一及第二重掺杂区，第二高压阱中有第三及第四重掺杂区；第一高压阱与第二高压阱之间的衬底表层具有第五重掺杂区及第六重掺杂区；第五重掺杂区靠近第一高压阱，第六重掺杂区靠近第二高压阱，第五重掺杂区横跨在第一高压阱与衬底之间，第六重掺杂区横跨在第二高压阱与衬底之间。第五及第六重掺杂区的形状、数量及扩散半径可调，可以灵活地控制寄生SCR结构的电流分配，达到调整电流流出的路径的比例实现调整Snap‑back骤回维持电压的目的，提高器件抗静电能力。

主权项：1.一种高压静电保护结构，所述高压静电保护结构基于SCR结构，其特征在于：所述结构由在第一导电类型的衬底中的第一导电类型的第一高压阱及第二导电类型的第二高压阱构成；所述第一高压阱中包含有第一导电类型的第一重掺杂区及第二导电类型的第二重掺杂区，所述第一重掺杂区与第二重掺杂区之间间隔有场氧；所述第二高压阱中包含有第一导电类型的第三重掺杂区及第二导电类型的第四重掺杂区；所述第三重掺杂区与第四重掺杂区之间间隔有场氧；所述第一高压阱与第二高压阱其侧面并不抵靠，之间间隔一段衬底；在第一高压阱与第二高压阱之间的衬底表层具有第一导电类型的第五重掺杂区及第二导电类型的第六重掺杂区，且所述第五重掺杂区与第六重掺杂区之间间隔有场氧；所述的第一导电类型的第五重掺杂区靠近第一导电类型的第一高压阱，且与第一高压阱中的靠近第五重掺杂区的第二重掺杂区之间间隔有场氧；所述的第二导电类型的第六重掺杂区靠近第二导电类型的第二高压阱，且与第二高压阱中的靠近第六重掺杂区的第三重掺杂区之间间隔有场氧；所述的第五重掺杂区横跨在第一高压阱与衬底之间，即第五重掺杂区一部分位于第一高压阱内，剩余部分位于衬底中；所述的第六重掺杂区横跨在第二高压阱与衬底之间，即第六重掺杂区一部分位于第二高压阱内，剩余部分位于衬底中；通过调整所述的第五重掺杂区及第六重掺杂区之间的间距达到不同的静电保护结构的触发电压；所述的位于第一高压阱中的第一重掺杂区以及第二重掺杂区中均具有接触孔，引出后短接在一起，形成所述SCR结构的接地端；所述的位于第二高压阱中的第三重掺杂区以及第四重掺杂区中均具有接触孔；引出后短接形成所述SCR结构的静电端；所述的第五重掺杂区及第六重掺杂区为浮空结构，不形成接触孔，不与外部连接。

全文数据：

权利要求：

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