申请/专利权人：南京理工大学

申请日：2021-06-21

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN115573027B

主分类号：C30B9/12

分类号：C30B9/12;C30B29/46

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明公开了一种制备Cr7Se8单晶的方法，其特征在于，采用助熔剂法，以Ga为助熔剂，按Ga：Cr：Se摩尔比为98：2：2进行配料，于1100℃下保温一段时间，再以一定的速率冷却至730℃，制得Cr7Se8单晶。本发明解决了制备Cr7Se8单晶困难的问题。

主权项：1.一种制备Cr7Se8单晶的方法，其特征在于，采用助熔剂法，以Ga为助熔剂，按Ga：Cr：Se摩尔比为98：2：2进行配料，并将配好的原料倒入圆柱型刚玉管坩埚中，取圆柱型石英管一根，先在圆柱型石英管底部放入石英棉用于缓冲，之后放入装有原料的刚玉管坩埚，随后放入一个刚玉筛，再倒放一个空的刚玉管坩埚，最后放入一层石英棉，用封管机将上述圆柱型石英管真空封管，于1100℃下保温一段时间，再以一定的速率冷却至730℃，将圆柱型石英管倒置放入离心机，做离心处理，制得Cr7Se8单晶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京理工大学 一种制备Cr₇Se₈单晶的方法

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