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【发明授权】基于中控地偏移电压以保证二级电源输入电压的电路及系统_惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司_202110853754.1 

申请/专利权人:惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司

申请日:2021-07-28

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN113765048B

主分类号:H02H1/00

分类号:H02H1/00;H02H7/12;B60R16/03;G01R19/165

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.19#授权;2021.12.24#实质审查的生效;2021.12.07#公开

摘要:本发明涉及二级电源稳压输入技术领域,特别涉及一种基于中控地偏移电压以保证二级电源输入电压的电路及系统,该电路包括单片机;三极管Q1与三极管Q2的基极分别连接单片机的第一输出端与第二输出端,集电极连接单片机电源端且并联输出第一电压检测端与第二电压检测端,发射极分别连接汽车电池的负极性端与中控零电势点;第一电压检测端与第二电压检测端接入单片机,且单片机的第三输出端控制导通二级电源芯片。本发明的提出解决了现有的车载产品仅通过整车的线缆进行电气连接,由于线缆本身阻抗导致车载产品的接地端与电池的负极性端间的压差较大,二级电源芯片容易因过大的地偏移电压导致输入电压超过正常的输入范围,最终造成芯片损坏的问题。

主权项:1.一种基于中控地偏移电压以保证二级电源输入电压的电路,其特征在于:包括单片机;三极管Q1的基极连接所述单片机的第一输出端IO1,集电极连接所述单片机的电源端且输出第一电压检测端AD1,发射极连接汽车电池的负极性端;三极管Q2的基极连接所述单片机的第二输出端IO2,集电极连接所述单片机的电源端且输出第二电压检测端AD2,发射极连接汽车的中控零电势点;所述第一电压检测端AD1与第二电压检测端AD2接入所述单片机,且所述单片机的第三输出端控制导通二级电源芯片;所述单片机的第一输出端IO1与第二输出端IO2输出高电平时,所述第一电压检测端AD1与第二电压检测端AD2存在压差,所述单片机判断所述压差是否大于预设值,若是则控制所述第三输出端输出低电平,反之则输出高电平;所述三极管Q1的集电极串联电阻R5、R6后接入所述单片机的电源端,且所述电阻R5连接电阻R6的端部还输出所述第一电压检测端AD1;所述三极管Q2的集电极串联电阻R7、R8后接入所述单片机的电源端,且所述电阻R7连接电阻R8的端部还输出所述第二电压检测端AD2;所述电阻R5与电阻R6的阻值相等,电阻R7与电阻R8的阻值相等;所述单片机的第一输出端IO1与第二输出端IO2输出低电平时,所述第一电压检测端AD1与第二电压检测端AD2的电压值等于所述单片机的电源端电压值;当所述第一输出端IO1与第二输出端IO2输出高电平时,所述第一电压检测端AD1的电压值等于所述单片机的电源端电压值与所述汽车电池的负极性端电压值和的一半,以及所述第二电压检测端AD2的电压值等于所述单片机的电源端电压值与所述中控零电势点的电压值和的一半;所述单片机的第三输出端连接三极管Q4的基极,且三极管Q4的集电极通过MOS管Q3连接所述二级电源芯片,三极管Q4的发射极接地;所述MOS管Q3为P沟道型MOS管;所述MOS管Q3的G极连接所述三极管Q4的集电极,D极接输入电压,S极接所述二级电源芯片。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司 基于中控地偏移电压以保证二级电源输入电压的电路及系统

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