申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2021-08-30

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113937161B

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.02.01#实质审查的生效;2022.01.14#公开

摘要：本发明涉及一种带有包裹埋层的Si基AlGaNGaN高电子迁移率晶体管及制备方法，高电子迁移率晶体管包括依次层叠的Si衬底、AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，所述Si衬底中设置有N型埋层和隔离层，所述隔离层设置在所述Si衬底和所述N型埋层之间且包裹所述N型埋层。该高电子迁移率晶体管在Si衬底中设置N型埋层和隔离层，隔离层不会将N型埋层中的N型杂质完全掩蔽，N型杂质可以扩散进入Si衬底，从而抵消上层结构中Al扩散引入Si衬底的P型沟道浓度，从而提高衬底电阻率，降低器件的射频损耗。

主权项：1.一种带有包裹埋层的Si基AlGaNGaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括依次层叠的Si衬底1、AlN成核层3、AlGaN阶变层4、GaN缓冲层5和AlGaN势垒层6，其中，所述Si衬底1中设置有N型埋层11和隔离层12，所述隔离层12设置在所述Si衬底1和所述N型埋层11之间且包裹所述N型埋层11的四周，在所述隔离层12的四周包裹所述Si衬底1，所述N型埋层11中的部分N型杂质可以通过所述隔离层12扩散进入所述Si衬底1中以抵消上层结构中Al扩散进入所述Si衬底1的P型沟道浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 带有包裹埋层的Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法

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