申请/专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司

申请日：2022-03-23

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN114800252B

主分类号：B24B37/04

分类号：B24B37/04;B24B37/10;B24B37/30;B24B7/22;H01L21/304;H01L21/324;H01S5/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开

摘要：本发明属于碳化硅新材料技术领域，具体涉及一种碳化硅晶片的表面研磨方法，包括：S1：将碳化硅晶片的正面放置在粘贴于研磨大盘上的无蜡垫上，并采用金刚砂轮研磨头对所述碳化硅晶片的背面进行粗磨；S2：将所述碳化硅晶片的背面放置在粘贴于研磨大盘上的无蜡垫上，并采用金刚砂轮研磨头对碳化硅晶片的正面进行粗磨；S3：对经S1、S2处理的所述碳化硅晶片进行退火处理；S4：对经S3处理的碳化硅晶片进行化抛精磨。基于上述结构与方法，能够大大提升研磨效率节省研磨时间，且改造设备的费用成本较低，设计开发费用较少。

主权项：1.一种碳化硅晶片的表面研磨方法，其特征在于，包括：S1：将碳化硅晶片的正面放置在粘贴于研磨大盘上的无蜡垫上，并采用金刚砂轮研磨头对所述碳化硅晶片的背面进行粗磨；S2：将所述碳化硅晶片的背面放置在粘贴于研磨大盘上的无蜡垫上，并采用金刚砂轮研磨头对碳化硅晶片的正面进行粗磨；S3：对经S1、S2处理的所述碳化硅晶片进行退火处理；S4：对经S3处理的碳化硅晶片进行化抛精磨；S1中的对所述碳化硅晶片的背面进行粗磨还包括：采用油基研磨液，以三羟甲基丙烷三油酸酯作为研磨液的油基介质，并驱动所述研磨大盘与所述金刚砂轮研磨头差速旋转研磨所述碳化硅晶片的背面直至达到第一指标，第一指标包括碳化硅晶片整体厚度为385-400μm，且所述碳化硅晶片上任意三点厚度值中最大值与最小值的差值小于等于5μm；S2中的对所述碳化硅晶片的正面进行粗磨还包括：采用油基研磨液，以三羟甲基丙烷三油酸酯作为研磨液的油基介质，并驱动所述研磨大盘与所述金刚砂轮研磨头差速旋转研磨所述碳化硅晶片的正面直至达到第二指标，所述第二指标包括碳化硅晶片整体厚度为365-385μm，且所述碳化硅晶片上任意三点厚度值中最大值与最小值的差值小于等于5μm；所述油基研磨液自设于所述研磨大盘中心支柱中的流道流出并分布于所述无蜡垫与所述金刚砂轮研磨头之间；S3中对经S1、S2处理的所述碳化硅晶片进行退火处理包括：将碳化硅晶片放入退火温度为1000℃-1300℃的退火炉中9h-13h后取出并置于空气中冷却至室温；S4中对经S3处理的碳化硅晶片进行化抛精磨包括：将S3处理的碳化硅晶片放置于化抛设备中，并采用颗粒直径为30～135nm的改性硅溶液分别对碳化硅晶片的正面和反面抛光至第三指标，所述第三指标包括所述晶片整体厚度为340-360μm，且所述晶片上任意三点厚度值中最大值与最小值的差值小于等于5μm。

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权利要求：

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