申请/专利权人：夏普株式会社

申请日：2020-06-16

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112098499B

主分类号：G01N27/622

分类号：G01N27/622

优先权：["20190617 JP 2019-112123"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.01.05#实质审查的生效;2020.12.18#公开

摘要：本发明的分析装置包括：电子发射元件、检测部、电场形成部、静电栅电极和控制部，所述电子发射元件设置为具有下部电极、表面电极以及中间层，且在电子发射元件和静电栅电极之间的离子化区域内由发射的电子直接或间接地生成阴离子，静电栅电极被设置为控制阴离子向静电栅电极和检测部之间的漂移区域的注入，检测部被设置为检测通过上述电位梯度在漂移区域可移动的阴离子，控制部被设置为在下部电极和表面电极之间施加脉冲电压，且设置为在脉冲电压为导通的时间内向静电栅电极施加电压，以使静电栅电极将阴离子注入漂移区域。

主权项：1.一种分析装置，其特征在于，包括:电子发射元件；检测部；电场形成部，其设置为在所述电子发射元件和所述检测部之间的区域形成电位梯度；静电栅电极，其配置在所述电子发射元件和所述检测部之间；以及控制部，所述电子发射元件具有下部电极、表面电极以及配置在所述下部电极和所述表面电极之间的中间层，所述电子发射元件设置为通过在所述下部电极和所述表面电极之间施加电压来发射电子，且在所述电子发射元件和所述静电栅电极之间的离子化区域内由发射的电子直接或间接生成阴离子，所述静电栅电极被设置为控制阴离子向所述静电栅电极和所述检测部之间的漂移区域的注入，所述检测部被设置为检测通过上述电位梯度在所述漂移区域可移动的阴离子，所述控制部被设置为在所述下部电极和所述表面电极之间施加脉冲电压，且设置为在所述脉冲电压为导通的时间内向所述静电栅电极施加电压，以使所述静电栅电极将阴离子注入所述漂移区域，所述控制部设置为：在阴离子注入所述漂移区域后且在阴离子下一次注入所述漂移区域前的时间内，施加在所述下部电极和所述表面电极之间的脉冲电压处于断开的状态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 夏普株式会社 分析装置

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