申请/专利权人：深圳市国微电子有限公司

申请日：2022-07-13

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN115357084B

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.12.06#实质审查的生效;2022.11.18#公开

摘要：本申请提供一种降压电路，包括包括降压模块、基准模块和反馈模块；降压模块，被配置为根据输入电压获取控制电压，并根据控制电压将输入电压进行降压得到输出电压；基准模块，被配置为根据温度系数降低温度对输出电压的影响得到基准电压；反馈模块，被配置为对基准电压进行采样得到采样电压，并根据采样电压调整控制电压。本申请通过降压模块对宽范围的输入电压进行降压，通过基准模块对电子芯片内的温度影响进行消除，通过反馈模块对输出电压进行采样，并根据采样结果反馈控制降压模块，防止输出电压偏离预设的电压值，从而得到宽输入范围、低温漂的输出电压。

主权项：1.一种降压电路，其特征在于，包括电压输入端、电压输出端、降压模块、基准模块和反馈模块；所述降压模块分别与所述电压输入端和所述电压输出端电连接，所述降压模块还分别与所述基准模块和所述反馈模块电连接，所述基准模块分别与所述反馈模块和所述电压输出端电连接；所述降压模块，被配置为根据输入电压获取控制电压，并根据所述控制电压将所述输入电压进行降压得到输出电压；所述基准模块，被配置为根据温度系数降低温度对所述输出电压的影响得到基准电压；所述反馈模块，被配置为对所述基准电压进行采样得到采样电压，并根据所述采样电压调整所述控制电压；所述降压模块包括第一PMOS管；所述第一PMOS管的栅极与所述电压输入端和所述反馈模块电连接，所述第一PMOS管的源极与所述电压输入端电连接，所述第一PMOS管的漏极与所述基准模块和所述电压输出端电连接；所述基准模块包括第一三极管、第二三极管、第五三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第六电阻；所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极电连接，所述第一三极管的集电极与所述第一电阻的一端电连接；所述第二三极管的发射极与所述第六电阻的一端电连接，所述第六电阻的另一端接地；所述第二三极管的基极分别与所述第二三极管的集电极和所述第二电阻的一端电连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的另一端和所述第五三极管的发射极电连接，所述第五三极管的基极分别与所述第五三极管的集电极和所述第三电阻的一端电连接，所述第三电阻的另一端分别与所述第一PMOS管的漏极和所述电压输出端电连接；所述反馈模块包括第三三极管、第六NMOS管和第四电阻；所述第三三极管的发射极接地，所述第三三极管的基极与所述第一三极管的集电极电连接，所述第三三极管的集电极与所述第六NMOS管的源极电连接，所述第六NMOS管的漏极与所述第四电阻的一端电连接，所述第四电阻的另一端与所述第一PMOS管的栅极电连接；所述降压模块还包括第二PMOS管和第三PMOS管；所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极均与所述电压输入端电连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极电连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极电连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的栅极电连接。

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权利要求：

百度查询： 深圳市国微电子有限公司 降压电路

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