申请/专利权人：信越半导体株式会社

申请日：2019-02-13

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111801782B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/265

优先权：["20180316 JP 2018-048858"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：本发明提供一种碳浓度评价方法，其中，向硅晶圆中注入规定的元素的离子，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度，所述碳浓度评价方法的特征在于，以1.1×1011×[注入元素原子量]‑0.73注入量cm‑24.3×1011×[注入元素原子量]‑0.73的注入条件进行所述离子的注入，并评价碳浓度。由此，提供一种能够高灵敏度地测定作为成像元件的光电二极管区域的表层1～2μm的碳浓度的碳浓度评价方法。

主权项：1.一种碳浓度评价方法，其中，向硅晶圆中注入规定的元素的离子，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度，所述碳浓度评价方法的特征在于，以1.1×1011×[注入元素原子量]-0.73注入量cm-24.3×1011×[注入元素原子量]-0.73的注入条件进行所述离子的注入，并评价碳浓度。

全文数据：

权利要求：

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